天津师范大学罗庇荣，东南大学王俊嘉SMTD：化学气相沉积二维二硫化钼的局部应变依赖蚀刻图案

本文由天津师范大学罗庇荣和东南大学王俊嘉等人合作研究，探讨了化学气相沉积（CVD）二维二硫化钼（MoS2）单层在不同局部应变条件下的氧化刻蚀规律。研究发现，局部应变的大小和平面分布显著影响CVD MoS2单层的氧化刻蚀模式，从而形成不同的刻蚀图案，包括传统的三角形刻蚀坑（TEPs）、均匀定向的六边形刻蚀通道（HECs）以及非均匀六边形混合平行刻蚀通道（HPECs）。研究结果不仅揭示了CVD MoS2的内在局部应变依赖刻蚀行为，还为其他二维材料的刻蚀图案形成机制提供了借鉴，并为基于应变工程控制的二维材料刻蚀纳米结构化工程铺平了道路，具有在电催化和光电子领域的潜在应用前景。