华中科技大学翟天佑团队InfoMat：二维范德华异质结中的锂嵌入路径调控助力高性能浮栅存储与人工突触器件

华中科技大学翟天佑团队开发了一种表面渗透驱动的锂嵌入诱导相变方法，用于调控二维范德华异质结中的锂嵌入路径。通过在二维MoS2的表面引入表面等离子体处理，促进了锂离子从表面向底层的扩散和相变，改善了相变接触界面质量，使制备的边缘接触型场效应晶体管的亚阈值摆幅从600 mV dec–1降至100 mV dec–1。该方法应用于范德华异质结型二维浮栅型晶体管存储器的制备，实现了超快编程和多比特状态记忆的存储器件原型。研究结果发表在国际知名学术期刊InfoMat，为高性能二维场效应晶体管及关联器件的构建奠定了基础。