IF=33.7！东南大学「国家杰青」，最新Nature Electronics！

本文介绍了东南大学章琦、吕俊鹏及倪振华团队在Nature Electronics上发表的最新研究成果。研究背景聚焦于二维材料光电发光二极管（LED）在高电流密度下的效率下降问题，特别是激子-激子湮灭（EEA）导致的量子产率降低。研究目的在于解决这一问题，通过氧等离子体插层技术，制备出少层的二硫化钼（MoS2）和二硫化钨（WS2）量子阱结构，有效抑制了EEA，实现了无效率下降的光电发光性能。研究结论表明，这种新型LED在高激子生成率下表现出较好的外量子效率（EQE），为二维材料LED在高激子生成率下实现无效率下降提供了一种新的技术路径，有望推动其在光通信和显示领域的应用。