研究前沿：武汉大学/武汉理工大学 忆阻器-石墨烯/PtTe2 | Nature Electronics

本文报道了武汉大学和武汉理工大学的研究人员在Nature Electronics上发表的一项研究，利用二维范德瓦尔斯金属材料（如石墨烯和二碲化铂PtTe2）作为正极，创建了具有模拟电阻开关和高开/关比的忆阻器。这种忆阻器利用银作为顶部负极，使用硫化铟磷作为开关介质，通过调节离子运动实现了高达10E8的开/关比、8位电导态和阿焦级功耗的模拟电阻开关。研究展示了这种忆阻器在卷积神经网络芯片级模拟中的应用，提供了高识别精度，有助于满足数据密集型计算应用（如人工智能）的需求。