氢键动力学转变诱导的金属-绝缘体相变 | 进展

中科院物理所 2024-10-15 18:00
文章摘要
中国科学院物理研究所的研究团队通过在窄带隙无机半导体SnSe2中插入有机分子1,3-丙二胺(DAP),利用氢键的动态转变实现了电阻率变化7个数量级的金属-绝缘体相变(MIT)。研究发现,DAP分子中的氨基(-NH2)基团在高温下无序旋转,导致氢键持续处于“断开”和“成键”的状态,而在低温下旋转被“冻结”,这种“动态-静态”转变引起了电阻率的显著变化。通过S取代Se,MIT转变温度可提升至近室温。该研究不仅揭示了氢键在调控电学性质方面的潜力,还为分子电子器件的设计提供了新思路,具有在生物传感和柔性电子器件等领域应用的广阔前景。
氢键动力学转变诱导的金属-绝缘体相变 | 进展
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