昆明学院陈清源课题组：二维 Ca₃N₂、Ba₃P₂和Ba₃As₂：用于红外和宽带响应光电领域的稳定窄带隙半导体材料

昆明学院陈清源课题组通过第一性原理计算，设计并构建了三种新型二维窄带隙半导体材料：Ca₃N₂、Ba₃P₂和Ba₃As₂。这些材料具有优异的稳定性，并且在红外和宽带响应光电探测器领域展现出潜在应用。研究背景指出，二维窄带隙半导体相比传统体结构材料具有多种优势，如尺寸小、制备简单、强光-物质相互作用等。然而，现有材料在实际应用中存在局限性，如石墨烯的灵敏度低、TMDs带隙宽、黑磷不稳定等。研究亮点包括对这些新材料在力学、电学和光学性质的系统研究，发现它们在红外光区域具有高光吸收系数和良好的激子稳定性。这些发现为未来在红外光探测、光通讯等光电领域的应用提供了新的材料选择。