桂林理工大学徐军古： Ga/Mo共掺杂稳定的四方LaNbO₄材料的高浓度氧空位及电导率提升
研之成理
2024-09-19 15:53
文章摘要
本文报道了通过在LaNbO4中进行Ga和Mo的共掺杂，成功实现了高浓度的氧空位和显著提升的氧离子电导率。研究背景为固体氧化物燃料电池（SOFC）的开发，特别是氧离子传导型SOFC（O-SOFC），其面临的挑战包括高温操作和材料相变问题。研究目的在于通过掺杂策略提高LaNbO4材料的氧离子电导率和稳定性。结论表明，Ga和Mo的共掺杂不仅提高了氧离子电导率，还将高温四方相LaNbO4稳定至室温，避免了相变问题，为新型氧离子导体的发展提供了新的科学机制。
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