Light Adv. Manuf. | 光束整形新方法：下一代硅芯片垂直互连技术

随着半导体技术的进步，3D集成成为高性能电子和光电子器件的关键挑战。硅通孔(TSV)技术因其能实现高密度半导体器件和高长宽比的结构而受到关注。法国研究团队提出了一种基于轴棱锥和双透镜聚焦的激光直写技术，成功在晶体硅中创建了纵横比超过700的结构，为制造复杂三维结构和硅芯片中的超快速垂直通信通道提供了新方案。这一技术通过生成高角度伪贝塞尔光束，优化了半导体加工过程，有望在光子学和微电子技术中的垂直互连方面发挥重要作用。