И. В. Боднарь, В.А. Ящук, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский
{"title":"Cu-= tlc -2 =/SUB=-ZnGeS = = 4-= - SUB -= -4-= - SUB -= -","authors":"И. В. Боднарь, В.А. Ящук, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский","doi":"10.21883/ftp.2022.05.52353.9801","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"86 5 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu-=SUB=-2-=/SUB=-ZnGeS-=SUB=-4-=/SUB=-\",\"authors\":\"И. В. Боднарь, В.А. Ящук, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский\",\"doi\":\"10.21883/ftp.2022.05.52353.9801\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.\",\"PeriodicalId\":24054,\"journal\":{\"name\":\"Физика и техника полупроводников\",\"volume\":\"86 5 1\",\"pages\":\"\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2022-01-01\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Физика и техника полупроводников\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.05.52353.9801\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.05.52353.9801","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu-=SUB=-2-=/SUB=-ZnGeS-=SUB=-4-=/SUB=-
Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
