{"title":"Cl2/CF4和Cl2/CF4/O2中钼聚酸导体堆的等离子体刻蚀特性","authors":"R. Handke, G. Lippert","doi":"10.1002/CRAT.2170230525","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"The present paper is concerned with an extremly anisotropic two-step patterning process for Mo2Si/poly-Si double layers with an etch-stop on thick P-doped CVD-SiO2. As etching gas Cl2/CF4/O2 and Cl2/CF4 are used. By means of etch rate dependencies, volatilities of possible reaction products and results, obtained from the literature it is attempted to develop a simple qualitative model on the chemism of the process. \n \n \n \nDer Artikel beschreibt einen auserst anisotropen plasmachemischen Zwei-Phasen-Strukturierungsprozes fur MoSi/poly-Si-Doppelschichten mit Atzstopp auf diekem P-dotiertem CVD-SiO2. Als Atzgase werden Cl2/CF4 und Cl2/CF4/O2 verwendet. Anhand von Atzratenabhangigkeiten, Fluchtigkeiten moglicher Reaktionsprodukte und Ergebnissen aus der Literatur wird versucht, ein einfaches qualitatives Modell zum Chemismus des Prozesses zu entwickeln.","PeriodicalId":78140,"journal":{"name":"Bulletin / Atlantic-Cape May County Dental Society","volume":"103 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"1988-05-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Characterization of Plasma Etching of Molybdenum Polycid Conductor Stacks in Cl2/CF4 and Cl2/CF4/O2\",\"authors\":\"R. Handke, G. Lippert\",\"doi\":\"10.1002/CRAT.2170230525\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"The present paper is concerned with an extremly anisotropic two-step patterning process for Mo2Si/poly-Si double layers with an etch-stop on thick P-doped CVD-SiO2. As etching gas Cl2/CF4/O2 and Cl2/CF4 are used. By means of etch rate dependencies, volatilities of possible reaction products and results, obtained from the literature it is attempted to develop a simple qualitative model on the chemism of the process. \\n \\n \\n \\nDer Artikel beschreibt einen auserst anisotropen plasmachemischen Zwei-Phasen-Strukturierungsprozes fur MoSi/poly-Si-Doppelschichten mit Atzstopp auf diekem P-dotiertem CVD-SiO2. Als Atzgase werden Cl2/CF4 und Cl2/CF4/O2 verwendet. Anhand von Atzratenabhangigkeiten, Fluchtigkeiten moglicher Reaktionsprodukte und Ergebnissen aus der Literatur wird versucht, ein einfaches qualitatives Modell zum Chemismus des Prozesses zu entwickeln.\",\"PeriodicalId\":78140,\"journal\":{\"name\":\"Bulletin / Atlantic-Cape May County Dental Society\",\"volume\":\"103 1\",\"pages\":\"\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"1988-05-01\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Bulletin / Atlantic-Cape May County Dental Society\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.1002/CRAT.2170230525\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Bulletin / Atlantic-Cape May County Dental Society","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.1002/CRAT.2170230525","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Characterization of Plasma Etching of Molybdenum Polycid Conductor Stacks in Cl2/CF4 and Cl2/CF4/O2
The present paper is concerned with an extremly anisotropic two-step patterning process for Mo2Si/poly-Si double layers with an etch-stop on thick P-doped CVD-SiO2. As etching gas Cl2/CF4/O2 and Cl2/CF4 are used. By means of etch rate dependencies, volatilities of possible reaction products and results, obtained from the literature it is attempted to develop a simple qualitative model on the chemism of the process.
Der Artikel beschreibt einen auserst anisotropen plasmachemischen Zwei-Phasen-Strukturierungsprozes fur MoSi/poly-Si-Doppelschichten mit Atzstopp auf diekem P-dotiertem CVD-SiO2. Als Atzgase werden Cl2/CF4 und Cl2/CF4/O2 verwendet. Anhand von Atzratenabhangigkeiten, Fluchtigkeiten moglicher Reaktionsprodukte und Ergebnissen aus der Literatur wird versucht, ein einfaches qualitatives Modell zum Chemismus des Prozesses zu entwickeln.
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
