CBED定量分析测定ZnS型晶体的极性和离子性

Acta Crystallographica Section B Structural Crystallography and Crystal Chemistry Pub Date : 1984-08-01 DOI:10.1107/S010876818400224X

K. Ishizuka, J. Taftø

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摘要

通过定量计算研究从收敛束电子衍射图确定结构因子的相位和振幅的可能性，几个束同时在布拉格位置。基于新的倾斜照明n片公式的动态计算很好地再现了GaAs实验图，并验证了GaAs极性测定的简单方法。计算表明离子对200盘特性的影响

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Quantitative analysis of CBED to determine polarity and ionicity of ZnS‐type crystals

Etude par des calculs quantitatifs de la possibilite de determiner la phase et l'amplitude des facteurs de structure a partir de diagrammes de diffraction electronique a faisceau convergent, avec plusieurs faisceaux simultanement en position de Bragg. Des calculs dynamiques bases sur une nouvelle formule a n tranches pour une illumination inclinee reproduisent bien les diagrammes experimentaux de GaAs et verifient la methode simple pour la determination de la polarite de GaAs. Les calculs montrent l'effet de l'ionicite sur les caracteristiques du disque 200

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Acta Crystallographica Section B Structural Crystallography and Crystal Chemistry

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