优化CdHgTe/HgTe异质结构参数，单量子坑产生等离子管

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2023-01-01 DOI:10.21883/ftp.2023.04.55892.06k

В.Я. Алешкин, А О Рудаков, А.А. Дубинов

{"title":"优化CdHgTe/HgTe异质结构参数，单量子坑产生等离子管","authors":"В.Я. Алешкин, А О Рудаков, А.А. Дубинов","doi":"10.21883/ftp.2023.04.55892.06k","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Работа посвящена выбору оптимальной ширины запрещенной зоны квантовой ямы для генерации двумерных плазмон-фононов в гетероструктурах CdHgTe/HgTe. Показано, что оптимальной эффективной шириной запрещенной зоны является ширина, немного превосходящая энергию продольного оптического фонона в барьере. Ключевые слова: гетероструктуры CdHgTe/HgTe с квантовыми ямами, генерация двумерных плазмон-фононов, оптимальная ширина запрещенной зоны.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"42 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Оптимизация параметров гетероструктуры CdHgTe/HgTe с одиночной квантовой ямой для генерации плазмон-фононов\",\"authors\":\"В.Я. Алешкин, А О Рудаков, А.А. Дубинов\",\"doi\":\"10.21883/ftp.2023.04.55892.06k\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Работа посвящена выбору оптимальной ширины запрещенной зоны квантовой ямы для генерации двумерных плазмон-фононов в гетероструктурах CdHgTe/HgTe. Показано, что оптимальной эффективной шириной запрещенной зоны является ширина, немного превосходящая энергию продольного оптического фонона в барьере. Ключевые слова: гетероструктуры CdHgTe/HgTe с квантовыми ямами, генерация двумерных плазмон-фононов, оптимальная ширина запрещенной зоны.\",\"PeriodicalId\":24054,\"journal\":{\"name\":\"Физика и техника полупроводников\",\"volume\":\"42 1\",\"pages\":\"\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2023-01-01\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Физика и техника полупроводников\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.21883/ftp.2023.04.55892.06k\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2023.04.55892.06k","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

摘要

工作重点是选择量子坑的最佳宽度，以产生CdHgTe/HgTe异质结构中的二维等离子体丰。被禁止区域的最佳有效宽度是宽度，略高于屏障中纵向光学背景的能量。关键词:量子坑的CdHgTe/HgTe异质结构，产生二维等离子体背景，最佳禁区宽度。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

查看原文本刊更多论文

Оптимизация параметров гетероструктуры CdHgTe/HgTe с одиночной квантовой ямой для генерации плазмон-фононов

Работа посвящена выбору оптимальной ширины запрещенной зоны квантовой ямы для генерации двумерных плазмон-фононов в гетероструктурах CdHgTe/HgTe. Показано, что оптимальной эффективной шириной запрещенной зоны является ширина, немного превосходящая энергию продольного оптического фонона в барьере. Ключевые слова: гетероструктуры CdHgTe/HgTe с квантовыми ямами, генерация двумерных плазмон-фононов, оптимальная ширина запрещенной зоны.

求助全文

通过发布文献求助，成功后即可免费获取论文全文。去求助

来源期刊

Физика и техника полупроводников

自引率

0.00%

发文量