Point-Defect Chemistry on the Polarization Behavior of Niobium Doped Bismuth Titanate

En el presente trabajo se estudia la quimica de defectos del Bi4Ti3O12 a temperatura ambiente, haciendo enfasis en el efecto de los defectos puntuales sobre las propiedades ferroelectricas. Mediciones de conductividad electrica, permitividad dielectrica, perdida dielectrica, caracterizacion estructural y resonancia de spin electronico fueron utilizadas para demostrar la existencia de diferentes defectos puntuales. Titanato de Bismuto puro y dopado con niobio fueron sintetizados a partir del metodo convencional “Reaccion del estado solido”. El analisis de refinamiento de Rietveld revelo la formacion de vacancias de bismuto al igual que la formacion de atomos de niobio en los sitios atomicos del titanio, mientras que las mediciones de resonancia de spin electronico revelaron senales asociadas a impurezas de hierro. El presente comunicado soporta mecanismos de compensacion dominados por la presencia de electrones libres y vacancias de bismuto