Особенности роста и фазовый состав тонких плёнок Hf-Sc-O, синтезированных методом атомно-слоевого осаждения

Пленки Hf‑Sc‑O синтезированы методом атомно-слоевого осаждения с использованием паров тетракис-диэтиламида гафния (Hf(N(C2H5)2)4, TDEAH), трис-метилциклопентадиенила скандия (Sc(C5H4CH3)3) и воды при 300 °C на подложках монокристаллического кремния (100) и массивах ориентированных микроканатов (МОМК) SiOх. Образцы исследованы комплексом физико-химических методов: одноволновая эллипсометрия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, рентгеновская дифракция, просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия. Определены значения константы роста (прирост толщины пленки за один реакционный цикл) для индивидуальных и смешанных оксидов, охарактеризованы образующиеся в пленках фазы, установлена взаимосвязь морфологии поверхности и химического состава, исследованы оптические свойства образцов. Использование МОМК в качестве подложек позволило достоверно идентифицировать образование упорядоченной δ-фазы Hf3Sc4O12 ромбоэдрического структурного типа пространственной группы R-3.