{"title":"微电子学中的激光掺杂","authors":"T. Sarnet, M. Hernandez, D. Débarre","doi":"10.1051/JP4:2006138023","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Les procedes de recuit et de dopage laser du silicium ont ete etudies de maniere intensive au cours des precedentes decennies. Ces etudes ont d'ores et deja permis un transfert technologique pour la fabrication des semiconducteurs. Cependant les futures generations CMOS vont necessiter des techniques de dopage encore plus fines, capable de fabriquer les jonctions ultra-minces decrites dans la \"roadmap\" de l'ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). Ce papier decrit des resultats recents obtenus dans le cadre du RMNT DOLAMI consacre au dopage laser de jonctions ultra-minces, ainsi que des applications du dopage laser pour les microtechnologies liees a la fabrication de MEMS.","PeriodicalId":14838,"journal":{"name":"Journal De Physique Iv","volume":"110 1","pages":"203-212"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2006-12-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"2","resultStr":"{\"title\":\"Dopage laser en microélectronique\",\"authors\":\"T. Sarnet, M. Hernandez, D. Débarre\",\"doi\":\"10.1051/JP4:2006138023\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Les procedes de recuit et de dopage laser du silicium ont ete etudies de maniere intensive au cours des precedentes decennies. Ces etudes ont d'ores et deja permis un transfert technologique pour la fabrication des semiconducteurs. Cependant les futures generations CMOS vont necessiter des techniques de dopage encore plus fines, capable de fabriquer les jonctions ultra-minces decrites dans la \\\"roadmap\\\" de l'ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). Ce papier decrit des resultats recents obtenus dans le cadre du RMNT DOLAMI consacre au dopage laser de jonctions ultra-minces, ainsi que des applications du dopage laser pour les microtechnologies liees a la fabrication de MEMS.\",\"PeriodicalId\":14838,\"journal\":{\"name\":\"Journal De Physique Iv\",\"volume\":\"110 1\",\"pages\":\"203-212\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2006-12-01\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"2\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Journal De Physique Iv\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.1051/JP4:2006138023\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Journal De Physique Iv","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.1051/JP4:2006138023","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Les procedes de recuit et de dopage laser du silicium ont ete etudies de maniere intensive au cours des precedentes decennies. Ces etudes ont d'ores et deja permis un transfert technologique pour la fabrication des semiconducteurs. Cependant les futures generations CMOS vont necessiter des techniques de dopage encore plus fines, capable de fabriquer les jonctions ultra-minces decrites dans la "roadmap" de l'ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). Ce papier decrit des resultats recents obtenus dans le cadre du RMNT DOLAMI consacre au dopage laser de jonctions ultra-minces, ainsi que des applications du dopage laser pour les microtechnologies liees a la fabrication de MEMS.
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