Начальные стадии роста слоя GaN(11\=22) на наноструктурированной подложке Si(113)

Методом растровой электронной микроскопии изучались начальные стадии формирования полуполярного GaN(1122) слоя при эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках Si(113), на поверхности которых сформированы U-образные канавки с размером элементов <100 нм (подложка-NP-Si(113)). Установлено, что NP-Si(113) подложки с буферным слоем AlN стимулируют формирование островков, ограненных плоскостями m-GaN, c-GaN. Показано, что наблюдается преимущественный рост грани m-GaN по сравнению с c-GaN. Экспериментальные результаты соответствуют принципу отбора Гиббса--Кюри--Вульфа, но с учетом упругих напряжений в плоскости c-GaN. Ключевые слова: полуполярный нитрид галлия, нано-структурированная подложка, кремний.