用氙取代先前吸附在石墨表面(0001)的六氟化硫薄膜

J. Menaucourt, C. Bockel
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摘要

用体积在80 ~ 112 K之间的方法研究了六氟化硫(sf6)石墨表面(0001)上氙的物理吸附。sf6的存在强烈地抵消了氙的吸附。它只有在比裸石墨高得多的压力下才会被吸附,在一级相变过程中,它会取代sf6薄膜。位移转变压力随温度的变化可能与sf6薄膜在裸石墨上的不同结构有关。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
Déplacement par le xénon, du film d'hexafluorure de soufre préalablement adsorbé sur la face (0001) du graphite
La physisorption de xenon sur la face (0001) du graphite recouverte d'hexafluorure de soufre (SF 6 ) egalement physisorbe a ete etudiee par volumetrie entre 80 et 112 K. La presence de SF 6 contrarie fortement l'adsorption de xenon. Celui-ci ne s'adsorbe de facon importante qu'a des pressions nettement plus elevees que sur graphite nu en deplacant le film de SF 6 au cours d'une transition de phase du premier ordre. L'evolution de la pression de la transition de deplacement avec la temperature est vraisemblablement liee aux differentes structures que presente le film de SF 6 sur graphite nu
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