为了测量半导体尺寸

Maine revised statutes annotated, 1964 : being the tenth revision of the Revised statutes of the state of Maine, 1964. Maine Pub Date : 1964-12-31 DOI:10.1002/PSSB.19640050120

G. Jungk, H. Menniger

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引用次数: 17

摘要

通过光子扫描，士兵按p . n光效果向模板进行地方定性或边向p . p。它可以Diffusionslangen≧10μm标准在适当温度unabhangig的Grose Oberflachenrekombinationsgeschwindigkeit Reflexionsvermogens和Quantenausbeute .是该方法通过测量的硅得到了验证。(俄语)

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Zur Messung der Diffusionslänge der Minoritätsträger in Halbleitern

Mittels Lichtsondenabtastung wird die Ortsabhangigkeit des p—n-Photoeffektes bzw. des Randschichtphotoeffektes an schrag geschliffenen Proben gemessen und daraus die Diffusionslange bestimmt. Es konnen Diffusionslangen ≧ 10 μm gemessen werden, die bei gegebener Temperatur unabhangig von der Grose der Oberflachenrekombinationsgeschwindigkeit, des Reflexionsvermogens und der Quantenausbeute sind. Die Methode wurde durch Messung an Silizium gepruft. [Russian Text Ignored].

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Maine revised statutes annotated, 1964 : being the tenth revision of the Revised statutes of the state of Maine, 1964. Maine

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