近阈值宽电压设计审查

IF 5.2 1区 计算机科学 Q1 COMPUTER SCIENCE, INFORMATION SYSTEMS
Yan Zhao;Jun Yang;Chao Chen;Weiwei Shan;Peng Cao;Yongliang Zhou;Ziyu Li;Tai Yang
{"title":"近阈值宽电压设计审查","authors":"Yan Zhao;Jun Yang;Chao Chen;Weiwei Shan;Peng Cao;Yongliang Zhou;Ziyu Li;Tai Yang","doi":"10.26599/TST.2022.9010064","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"","PeriodicalId":60306,"journal":{"name":"Tsinghua Science and Technology","volume":"28 4","pages":""},"PeriodicalIF":5.2000,"publicationDate":"2023-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"https://ieeexplore.ieee.org/iel7/5971803/10011153/10011161.pdf","citationCount":"1","resultStr":"{\"title\":\"Near-Threshold Wide-Voltage Design Review\",\"authors\":\"Yan Zhao;Jun Yang;Chao Chen;Weiwei Shan;Peng Cao;Yongliang Zhou;Ziyu Li;Tai Yang\",\"doi\":\"10.26599/TST.2022.9010064\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"\",\"PeriodicalId\":60306,\"journal\":{\"name\":\"Tsinghua Science and Technology\",\"volume\":\"28 4\",\"pages\":\"\"},\"PeriodicalIF\":5.2000,\"publicationDate\":\"2023-01-01\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"https://ieeexplore.ieee.org/iel7/5971803/10011153/10011161.pdf\",\"citationCount\":\"1\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Tsinghua Science and Technology\",\"FirstCategoryId\":\"94\",\"ListUrlMain\":\"https://ieeexplore.ieee.org/document/10011161/\",\"RegionNum\":1,\"RegionCategory\":\"计算机科学\",\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"Q1\",\"JCRName\":\"COMPUTER SCIENCE, INFORMATION SYSTEMS\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Tsinghua Science and Technology","FirstCategoryId":"94","ListUrlMain":"https://ieeexplore.ieee.org/document/10011161/","RegionNum":1,"RegionCategory":"计算机科学","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"Q1","JCRName":"COMPUTER SCIENCE, INFORMATION SYSTEMS","Score":null,"Total":0}
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摘要

本文对存储器的近阈值宽电压设计、弹性逻辑设计、低压射频(RF)电路和时序分析进行了全面的综述。随着可穿戴应用的蓬勃发展,低功耗已成为IC设计的主要挑战之一。为了提高功率效率,优选的方案是在近阈值电压(NTV)的超低电压下操作。针对性能的变化和退化,提出了一种低电压下的自适应裕度分配技术。所提出的技术实时跟踪电路状态,并动态分配电压裕度,降低了最小电源电压,实现了更高的能效。自适应裕度分配技术可用于静态随机存取存储器(SRAM)、数字电路和模拟/RF电路。基于自适应裕度分配技术,40nm CMOS工艺中的最小电压降低到0.6V甚至更低,能效提高了3-4倍。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
Near-Threshold Wide-Voltage Design Review
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