{"title":"多氯联结对薄多氧量胶体结构结构的影响，用MOCVD技术加以修正","authors":"Aip Saripudin","doi":"10.15294/JF.V5I2.7408","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Pendeposisian sejumlah film tipis Co:TiO 2 telah selesai dilakukan. Film dideposisikan pada substrat Si(100) tipe-n menggunakan teknik MOCVD. Konsentrasi doping Co bervariasi dari 0,1 % sampai dengan 1,1 %. Penelitian ini difokuskan pada efek doping Co pada konstanta kisi film tipis polikristal TiO 2 . Hasil penelitian menunjukkan bahwa pemberian doping Co pada film TiO 2 menyebabkan penyusutan konstanta kisi film tersebut.","PeriodicalId":30730,"journal":{"name":"Jurnal Fisika","volume":"5 1","pages":"78836"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2015-11-03","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Efek Doping Co Pada Konstanta Kisi Film Tipis polikristal TiO2 yang Dideposisikan dengan Teknik MOCVD\",\"authors\":\"Aip Saripudin\",\"doi\":\"10.15294/JF.V5I2.7408\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Pendeposisian sejumlah film tipis Co:TiO 2 telah selesai dilakukan. Film dideposisikan pada substrat Si(100) tipe-n menggunakan teknik MOCVD. Konsentrasi doping Co bervariasi dari 0,1 % sampai dengan 1,1 %. Penelitian ini difokuskan pada efek doping Co pada konstanta kisi film tipis polikristal TiO 2 . Hasil penelitian menunjukkan bahwa pemberian doping Co pada film TiO 2 menyebabkan penyusutan konstanta kisi film tersebut.\",\"PeriodicalId\":30730,\"journal\":{\"name\":\"Jurnal Fisika\",\"volume\":\"5 1\",\"pages\":\"78836\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2015-11-03\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Jurnal Fisika\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.15294/JF.V5I2.7408\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Jurnal Fisika","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.15294/JF.V5I2.7408","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Efek Doping Co Pada Konstanta Kisi Film Tipis polikristal TiO2 yang Dideposisikan dengan Teknik MOCVD
Pendeposisian sejumlah film tipis Co:TiO 2 telah selesai dilakukan. Film dideposisikan pada substrat Si(100) tipe-n menggunakan teknik MOCVD. Konsentrasi doping Co bervariasi dari 0,1 % sampai dengan 1,1 %. Penelitian ini difokuskan pada efek doping Co pada konstanta kisi film tipis polikristal TiO 2 . Hasil penelitian menunjukkan bahwa pemberian doping Co pada film TiO 2 menyebabkan penyusutan konstanta kisi film tersebut.
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
