STRUKTUR MORFOLOGI, KOMPOSISI KIMIA DAN RESISTANSI LAPISAN TIO2-CU SEBAGAI LAPISAN AKTIF PADA SEL SURYA FOTOELEKTROKIMIA

Peningkatan efisiensi sel surya titania terus dikembangkan. Salah satunya adalah memodifikasi titania yang berfungsi sebagai lapisan aktif. Lapisan titania dapat disisipi dengan logam Cu. Penyisipan logam Cu pada TiO2 dilakukan melalui pembuatan nanokomposit TiO2-Cu dengan metode sol-gel. Lapisan TiO2-Cu yang terbentuk dikarakterisasi dengan SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui struktur morfologi permukaan, EDX (Energy dispersive X-ray spectroscopy) untuk mengetahui komposisi bahan. Sedangkan resistansi lapisan diukur menggunakan Jembatan Wheatstone. Berdasarkan hasil SEM dapat ditunjukkan bahwa struktur morfologi permukaan lapisan TiO2-Cu tidak berbeda secara signifikan dengan lapisan TiO2, yaitu cukup homogen dan memiliki ukuran butir (grain) yang hampir sama. Tetapi dari hasil EDX diperoleh bahwa lapisan TiO2-Cu yaitu lapisan TiO2 yang disisipi logam tembaga mengandung unsur Ti sebanyak 59,8%, unsur O sebanyak 40,02% dan unsur Cu sebanyak 0,19%. Sedangkan lapisan TiO2 saja mengandung unsur Ti sebanyak 54,25% dan unsur O sebanyak 45,75%. Penyisipan logam tembaga pada lapisan titania dapat menurunkan resistansi listrik lapisan. Nilai resistansi lapisan TiO2 adalah 7,714 kilo ohm. Sedangkan nilai resistansi lapisan TiO2-Cu adalah 6,624 kilo ohm.