{"title":"InAs 薄层对 AlAs/InxGa1-xAs/AlAs 异质结构量子阱中电子能量的影响","authors":"П.Ж. Байматов, Б.Т. Абдулазизов, М.С. Тохиржонов","doi":"10.52304/.v25i4.474","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В работе представлены результаты изучения природы энергетических уровней электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs, содержащих тонкий нанослой InAs. Численными и аналитическими методами проанализированы зависимости этих энергетических уровней от толщины слоя InAs En(b). В модели бесконечно глубокой ямы получена аналитическая формула зависимости En(b). Найденная в модели параболических зон зависимость энергетических уровней от толщины b нанослоя InAs оказалась сильной и сложной. В модели непараболических зон из-за роста массы электрона по энергии число энергетических уровней в яме увеличилось, а зависимости En(b) заметно подавлены. Анализируются природа и причины этих закономерностей.","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":" January","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2024-01-17","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Влияние тонкого слоя InAs на энергию электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs\",\"authors\":\"П.Ж. Байматов, Б.Т. Абдулазизов, М.С. Тохиржонов\",\"doi\":\"10.52304/.v25i4.474\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В работе представлены результаты изучения природы энергетических уровней электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs, содержащих тонкий нанослой InAs. Численными и аналитическими методами проанализированы зависимости этих энергетических уровней от толщины слоя InAs En(b). В модели бесконечно глубокой ямы получена аналитическая формула зависимости En(b). Найденная в модели параболических зон зависимость энергетических уровней от толщины b нанослоя InAs оказалась сильной и сложной. В модели непараболических зон из-за роста массы электрона по энергии число энергетических уровней в яме увеличилось, а зависимости En(b) заметно подавлены. Анализируются природа и причины этих закономерностей.\",\"PeriodicalId\":6339,\"journal\":{\"name\":\"«Узбекский физический журнал»\",\"volume\":\" January\",\"pages\":\"\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2024-01-17\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"«Узбекский физический журнал»\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.52304/.v25i4.474\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"«Узбекский физический журнал»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.52304/.v25i4.474","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Влияние тонкого слоя InAs на энергию электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs
В работе представлены результаты изучения природы энергетических уровней электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs, содержащих тонкий нанослой InAs. Численными и аналитическими методами проанализированы зависимости этих энергетических уровней от толщины слоя InAs En(b). В модели бесконечно глубокой ямы получена аналитическая формула зависимости En(b). Найденная в модели параболических зон зависимость энергетических уровней от толщины b нанослоя InAs оказалась сильной и сложной. В модели непараболических зон из-за роста массы электрона по энергии число энергетических уровней в яме увеличилось, а зависимости En(b) заметно подавлены. Анализируются природа и причины этих закономерностей.
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
