n-CdS/p-CdTe 太阳能电池理论吸收系数的计算模型

O. A. Niasse, B. Mbengue, B. Ba, I. Youm, A. Ndiaye
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摘要

本文根据不同的计算方法,提出了确定半导体吸收系数的理论模型。介电函数模型以及谐振(HOA)、标准临界点(SPC)[2] 和 Rakshani 模型都是在 1.1 - 5.7 eV 能带范围内建立的模型。这些模型得出的结果构成了计算 CdS/CdTe 太阳能电池内部量子效率的基础,并与 Laas 制造的两个太阳能电池的量子效率测量结果进行了比较。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
Modèle de calculs des coefficients d’absorption théorique de la cellule solaire n-CdS/p-CdTe
Dans cet article, des modèles théoriques de détermination du coefficient d’absorption de semi-conducteur sont proposés à partir de différentes méthodes de calcul. Le modèle de la fonction diélectrique, ainsi que ceux de l’Oscillation Harmonique (HOA), du Point Critique Standards (SPC) [2] et de Rakshani ont été modélisé sur la bande d’énergie de 1.1 - 5.7 eV. Les résultats obtenus à partir de ces modèles sont à la base du calcul du rendement quantique interne d’une cellule solaire CdS/CdTe et comparés avec ceux de mesures de rendement quantique de deux cellules solaires fabriquées au Laas.
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