{"title":"单片 F 级微波放大器的设计","authors":"К. Дудинов, Н. Заднепряная","doi":"10.22184/1992-4178.2023.230.9.118.127","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Рассматривается подход к проектированию монолитных СВЧ-усилителей F -класса в Х-диапазоне на основе технологического процесса PHEMT на GaAs с нормой 0,25 мкм.","PeriodicalId":303934,"journal":{"name":"ELECTRONICS: SCIENCE, TECHNOLOGY, BUSINESS","volume":"29 3","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-11-10","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОНОЛИТНЫХ СВЧ-УСИЛИТЕЛЕЙ F-КЛАССА\",\"authors\":\"К. Дудинов, Н. Заднепряная\",\"doi\":\"10.22184/1992-4178.2023.230.9.118.127\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Рассматривается подход к проектированию монолитных СВЧ-усилителей F -класса в Х-диапазоне на основе технологического процесса PHEMT на GaAs с нормой 0,25 мкм.\",\"PeriodicalId\":303934,\"journal\":{\"name\":\"ELECTRONICS: SCIENCE, TECHNOLOGY, BUSINESS\",\"volume\":\"29 3\",\"pages\":\"\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2023-11-10\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"ELECTRONICS: SCIENCE, TECHNOLOGY, BUSINESS\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.22184/1992-4178.2023.230.9.118.127\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ELECTRONICS: SCIENCE, TECHNOLOGY, BUSINESS","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.22184/1992-4178.2023.230.9.118.127","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
摘要
本文讨论了基于砷化镓 0.25 μm PHEMT 工艺的 F 级 X 波段单片微波放大器的设计方法。
Рассматривается подход к проектированию монолитных СВЧ-усилителей F -класса в Х-диапазоне на основе технологического процесса PHEMT на GaAs с нормой 0,25 мкм.
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
