光电子应用半导体材料的制造和光学表征。

Q2 Arts and Humanities
Hernando Ariza Calderón
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摘要

在这个工作说明了发光的光学特性和技术fotorreflectancia生长技术,以及为epitaxia液相,使生产和相关的物理特性研究薄膜半导体ternarias cuaternarias。对10 ~ 300K的Ge、Sn掺杂GaAs和AlxGa1-xAs的p、n型外延样品进行了不同功率变化的激光调制器分析。本研究的目的是评估GaInAsSb第四纪的形态特征,并确定生长参数的最适值,以允许高晶体质量的外延层的生长。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
FABRICACIÓN Y CARACTERIZACIÓN ÓPTICA DE MATERIALES SEMICONDUCTORES PARA APLICACIONES EN OPTOELECTRÓNICA.
En este trabajo se describen las técnicas de caracterización óptica de fotoluminiscencia y fotorreflectancia, así como la técnica de crecimiento por epitaxia en fase líquida, que han permitido fabricar y realizar estudios de las propiedades físicas más relevantes de películas delgadas semiconductoras ternarias y cuaternarias. Se analizan muestras epitaxiales tipo p y n de GaAs y AlxGa1-xAs dopadas con Ge y Sn desde 10 a 300K, con diferentes variaciones de potencia del láser modulador. Se presenta un estudio de las características morfológicas del cuaternario GaInAsSb y se determinan los valores óptimos de parámetros de crecimiento que han permitido el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad cristalina.
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Revista de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Fisicas y Naturales
Revista de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Fisicas y Naturales Arts and Humanities-History and Philosophy of Science
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