基于自旋的物理不可克隆功能和CMOS协整的先进工艺与技术

IF 0.2 Q4 PHYSICS, APPLIED
Sung-Min Ahn
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摘要

新的非挥发性元件,如基于自旋传递扭矩(STT)/自旋轨道扭矩(SOT)的磁性logic /存储器和强功率全阶效应晶体管(FeFET),显示出了取代CMOS元件的技术可能性,作为电子电路耗电增加的一种解决方案。特别是基于STT/SOT的logic /内存元件具有电磁的自旋自由度、零的大气泄漏电流、低耗电量、可持续的耐久性、提高的读写性能和非挥发性等优点。特别是利用非挥发性和现有的CMOS基础电子电路技术以及三维集成的容易性,正在积极开发自旋基础PUF。本研究作为具有强磁性结构的基于自旋的新元件和CMOS同时集成的一个事例,将介绍基于自旋的PUF的研究现状和技术焦点。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
Advanced Process and Technology for Spin-Based Physical Unclonable Function and CMOS Co-Integration
스핀전달토크(STT)/스핀궤도토크(SOT) 기반 자성 로직/메모리, 강유전체 전계 효과 트랜지스터(FeFET)과 같은 새로운 비휘발성 소자들은 전자 회로의 증가하는 전력 소모의 하나의 해결책으로써 CMOS 소자를 대체할 수 있는 기술적 가능성을 보여왔다. 특히, STT/SOT 기반 로직/메모리 소자들은 전자의 스핀 자유도를 이용하기에, 영의 대기 누설 전류, 낮은 전력 소비, 지속 가능한 내구성, 향상된 읽기/쓰기 성능, 비휘발성 등의 장점을 낸다. 특히, 비휘발성과 현존하는 CMOS 기반 전자 회로 기술과 3차원 집적의 용이성을 이용하여 스핀 기반 PUF는 적극적으로 개발되고 있다. 본 연구에서는 강자성 구조를 갖는 스핀 기반 신소자와 CMOS 동시 집적의 한 가지 사례로 스핀 기반 PUF의 연구 현황과 기술적 이슈들이 소개된다.
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