Зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+

Встановлено, що пiсля проведення операцiї дифузiї при створеннi n+-емiтера фоточутливих структур типу n+-p-p+ його приповерхневий шар має значнi структурнi пошкодження з пiдвищеними рекомбiнацiйними втратами. Проведено дослiдження впливу додаткових обробок у виглядi циклiв стравлювання-вирощування шару двоокису кремнiю на поверхнi емiтера при виготовленнi таких фоточутливих кремнiєвих структур на їхнi фотоелектричнi i рекомбiнацiйнi характеристики. Показано, що застосування таких додаткових обробок у процесi виготовлення фоточутливих кремнiєвих структур дозволяє ефективно зменшити рекомбiнацiйнi втрати i, тим самим, значно покращити фотоелектричнi параметри таких структур, в тому числi i їхню спектральну та порогову фоточутливiсть.