Bi2S3薄膜合成中晶体学和光学性质的统计相关性

Quimica Hoy Pub Date : 2023-02-13 DOI:10.29105/qh11.04-309
Javier Morales Rodríguez, Y. Peña Méndez, Boris Ildusovich Kharissov, Idalia Gómez De La Fuente, Thelma E. Serrato Quezada
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摘要

目前,薄膜被认为是一种先进的材料,用于第三代光伏器件。本文选择了四种薄膜合成途径(化学浴沉积、热蒸发、电沉积和水热)。本研究的目的是评估两种不同的热处理技术,一种是在高温下进行的,另一种是在高温下进行的。结果表明是之间可能存在的关联点的大小对温度和时间,至少在两个沉积技术和使用能源为基础估算值带隙一次一个热处理温度和时间规定Bi2S3薄膜。适当的合成路线生产薄膜BiS3价值记得小至2 eV是通过化学沉积浴室,这种方法需要同样执行时间在进行热处理温度较低,因此在化学合成耗能更少。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
Correlación Estadística de Propiedades Cristalográficas y Ópticas en la Síntesis de Películas Delgadas de Bi2S3
En la actualidad, las películas delgadas son consideradas como materiales avanzados y se utilizan en dispositivos fotovoltaicos de tercera generación. En este trabajo se seleccionaron cuatro rutas de síntesis de películas delgadas (Deposición por Baño Químico, Evaporación Térmica, Electrodeposición e Hidrotermal). Se detallan las características de cada técnica y se revisó la información de catorce publicaciones sobre la brecha de energía y tamaño de grano, en función del tiempo y la temperatura en el tratamiento térmico. Los resultados muestran que es posible establecer una correlación entre el tamaño de grano con respecto a la temperatura y el tiempo, al menos en dos técnicas de deposición y así utilizarla como base para estimar valores de la energía de banda prohibida una vez establecidos la temperatura y tiempo de un tratamiento térmico de películas delgadas de Bi2S3. La ruta de síntesis adecuada en la producción de películas delgadas de BiS3 con un valor de Ez menor a 2 eV es mediante la deposición por baño químico, este método requiere de un menor tiempo de aplicación así mismo de una menor temperatura al llevar a cabo el tratamiento térmico, por lo que se utiliza menos energía en la síntesis química.
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