{"title":"基于测试结构伏安特性分析的集成电路制造热二氧化硅层缺陷评价","authors":"A. Shiryaev, V. Vorotyntsev, E. L. Shobolov","doi":"10.53403/9785951505033_102","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"","PeriodicalId":161403,"journal":{"name":"Высокие технологии атомной отрасли. Молодежь в инновационном процессе. сборник материалов XV научно-технической конференции молодых специалистов Росатома","volume":"39 8","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"1900-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"EVALUATION OF THERMAL SILICON DIOXIDE LAYER DEFECTIVNESS DURING INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING BASED ON ANALYSIS OF VOLT-AMPERE CHARACTERISTICS OF TEST STRUCTURES\",\"authors\":\"A. Shiryaev, V. Vorotyntsev, E. L. Shobolov\",\"doi\":\"10.53403/9785951505033_102\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"\",\"PeriodicalId\":161403,\"journal\":{\"name\":\"Высокие технологии атомной отрасли. Молодежь в инновационном процессе. сборник материалов XV научно-технической конференции молодых специалистов Росатома\",\"volume\":\"39 8\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"1900-01-01\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Высокие технологии атомной отрасли. Молодежь в инновационном процессе. сборник материалов XV научно-технической конференции молодых специалистов Росатома\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.53403/9785951505033_102\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Высокие технологии атомной отрасли. Молодежь в инновационном процессе. сборник материалов XV научно-технической конференции молодых специалистов Росатома","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.53403/9785951505033_102","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
EVALUATION OF THERMAL SILICON DIOXIDE LAYER DEFECTIVNESS DURING INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING BASED ON ANALYSIS OF VOLT-AMPERE CHARACTERISTICS OF TEST STRUCTURES