{"title":"德国晶体生长容器","authors":"","doi":"10.34077/rcsp2019-114","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Современная область применения кристаллов полупроводникового германия, обязательным\nтребованием к которым является низкое содержание дефектов и посторонних примесей, включает\nкосмическую фотовольтаику и электронную технику, полупроводниковые детекторы, инфракрасную\nоптику и тепловизоры.\nВ технологии получения монокристаллов германия важную роль играет материал контейнера для\nрасплава. До недавнего времени в этом качестве преимущественно использовался ультрачистый\nграфит. Вместе с тем при использовании графитовых контейнеров эффективный коэффициент\nраспределения ряда примесей в германии, например, Al, B, Ga, приближается к единице и,\nсоответственно, очистка от них не происходит. Одним из путей решения данной проблемы является\nприменение новых материалов. К их числу относятся нитрид бора и аморфный оксид кремния,\nнапример, в форме плавленого кварца. Из работы [1] следует, что угол смачивания поверхности\nплавленого кварца расплавом германия изменяется в интервале от 150 до 117°. Нитрид бора\nсмачивается значительно меньше, контактный угол составляет 173°. Однако изготовление\nконтейнеров из нитрида бора является сложной технической задачей, что обусловлено его высокой\nтемпературой плавления [2]. В работе [3] нами предложен способ изготовления двухслойных\nкварцевых контейнеров по керамической технологии с использованием метода шликерного литья.\nСуть его состоит в том, что на внутреннюю поверхность керамического кварцевого контейнера,\nизготовленного по шликерной технологии, наносится, также методом шликерного литья, покрытие\nтребуемого состава, которое контактирует при выращивании кристалла с расплавом германия.\nЦель настоящей работы – получение кварцевых контейнеров с покрытием на основе аморфного\nоксида кремния с добавкой нитрида бора для уменьшения смачивания расплавом германия.\nКварцевые керамические контейнеры изготавливали методом шликерного литья в гипсовую\nформу. Для формования применяли водный шликер, содержащий 70 мас. % аморфного SiO2.\nПриготовление шликера осуществлялось по методике одностадийного мокрого помола с\nиспользованием плавленого кварца. С этой целью в шаровую мельницу загружали дробленое\nкварцевое стекло, добавляли воду, исходя из заданной концентрации твердой фазы. Соотношение\nмассы шаров и массы загрузки составляло 3:1. После помола в течение 48 ч получали шликер для\nлитья изделий. После формования изделия избыток шликера сливали и проводили сушку\nполуфабриката при комнатной температуре. Для формирования покрытия на внутреннюю\nповерхность отливки из плавленого кварца до обжига также методом шликерного литья наносили\nпокрытие с комбинированным составом, содержащее SiO2 и BN в количестве 75 и 25 масс. %,\nсоответственно. Введение в состав покрытия большего количества нитрда бора приводило к тому,\nчто внутренний слой получается неоднородным и растрескивается, либо в ходе сушки изделия, либо\nпри отжиге. После формования контейнера проводили сушку и обжиг в атмосфере азота при 1200 °С\nв течение 2 ч.\nУстановлено, что плотность основы контейнера из плавленого кварца и материала покрытия\nсоставляет 1,95 г/см3\n, пористость ~ 11,0 %, размер зерен изменяется от 1 до 100 мкм.","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"12 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Контейнеры для выращивания кристаллов германия\",\"authors\":\"\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2019-114\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Современная область применения кристаллов полупроводникового германия, обязательным\\nтребованием к которым является низкое содержание дефектов и посторонних примесей, включает\\nкосмическую фотовольтаику и электронную технику, полупроводниковые детекторы, инфракрасную\\nоптику и тепловизоры.\\nВ технологии получения монокристаллов германия важную роль играет материал контейнера для\\nрасплава. До недавнего времени в этом качестве преимущественно использовался ультрачистый\\nграфит. Вместе с тем при использовании графитовых контейнеров эффективный коэффициент\\nраспределения ряда примесей в германии, например, Al, B, Ga, приближается к единице и,\\nсоответственно, очистка от них не происходит. Одним из путей решения данной проблемы является\\nприменение новых материалов. К их числу относятся нитрид бора и аморфный оксид кремния,\\nнапример, в форме плавленого кварца. Из работы [1] следует, что угол смачивания поверхности\\nплавленого кварца расплавом германия изменяется в интервале от 150 до 117°. Нитрид бора\\nсмачивается значительно меньше, контактный угол составляет 173°. Однако изготовление\\nконтейнеров из нитрида бора является сложной технической задачей, что обусловлено его высокой\\nтемпературой плавления [2]. В работе [3] нами предложен способ изготовления двухслойных\\nкварцевых контейнеров по керамической технологии с использованием метода шликерного литья.\\nСуть его состоит в том, что на внутреннюю поверхность керамического кварцевого контейнера,\\nизготовленного по шликерной технологии, наносится, также методом шликерного литья, покрытие\\nтребуемого состава, которое контактирует при выращивании кристалла с расплавом германия.\\nЦель настоящей работы – получение кварцевых контейнеров с покрытием на основе аморфного\\nоксида кремния с добавкой нитрида бора для уменьшения смачивания расплавом германия.\\nКварцевые керамические контейнеры изготавливали методом шликерного литья в гипсовую\\nформу. Для формования применяли водный шликер, содержащий 70 мас. % аморфного SiO2.\\nПриготовление шликера осуществлялось по методике одностадийного мокрого помола с\\nиспользованием плавленого кварца. С этой целью в шаровую мельницу загружали дробленое\\nкварцевое стекло, добавляли воду, исходя из заданной концентрации твердой фазы. Соотношение\\nмассы шаров и массы загрузки составляло 3:1. После помола в течение 48 ч получали шликер для\\nлитья изделий. После формования изделия избыток шликера сливали и проводили сушку\\nполуфабриката при комнатной температуре. Для формирования покрытия на внутреннюю\\nповерхность отливки из плавленого кварца до обжига также методом шликерного литья наносили\\nпокрытие с комбинированным составом, содержащее SiO2 и BN в количестве 75 и 25 масс. %,\\nсоответственно. Введение в состав покрытия большего количества нитрда бора приводило к тому,\\nчто внутренний слой получается неоднородным и растрескивается, либо в ходе сушки изделия, либо\\nпри отжиге. После формования контейнера проводили сушку и обжиг в атмосфере азота при 1200 °С\\nв течение 2 ч.\\nУстановлено, что плотность основы контейнера из плавленого кварца и материала покрытия\\nсоставляет 1,95 г/см3\\n, пористость ~ 11,0 %, размер зерен изменяется от 1 до 100 мкм.\",\"PeriodicalId\":118786,\"journal\":{\"name\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"volume\":\"12 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2019-05-24\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-114\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-114","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
摘要
现代半导体晶体应用领域,需要低缺陷和外来杂质,包括空间光伏和电子设备,半导体探测器,红外光学和热成像。在单晶技术中,德国对容器材料起着重要作用。直到最近,它还主要使用最纯净的石墨。然而,当使用石墨容器时,例如Al、B、Ga等德国杂质的有效分布系数接近于1,因此无法清除。解决这个问题的一种方法是使用新材料。其中包括硝化硼和无定形二氧化硅,如熔化石英。工作中的[1]下煤炭поверхностиплавлен石英湿润融化德国150至117°变化音程。氮化борасмачива相当少,接触角为173°。然而,由于硝化硼的高温,制造硝化硼容器是一项技术挑战。在工作中,我们提出了一种方法,可以用磨砂法制作两层石英容器,用于陶瓷技术。它的核心是,一个陶瓷石英容器的内部表面是用砂纸技术制成的,也是用砂纸铸造的,它覆盖了与德国熔化有关的成分。真正的工作是获得带有无定形氧化硅涂层的石英容器,添加硝化硼以减少德国的熔化。石英陶瓷容器是用砂纸铸造成石膏模型的。它是一种水生schlicker,含有70毫升。大约是无定形SiO2的百分比。schlicker的准备是由熔融石英的一阶段湿浸渍法进行的。为了达到这个目的,他们把碎石英玻璃装进了球磨机,并根据固定阶段的浓度添加了水。球质量和装载质量的比例是3:1。经过48小时的磨磨蹭蹭,他们得到了schlicker。在加工后,多余的schlicker被排出,并在室温下干燥。为了在燃烧前将熔融石英铸造到内部表面,还使用了一种混合涂层,包括SiO2和BN,质量75和25。分别占。引入更多的硝化硼会导致内部的不均匀和破裂,或者在干燥的过程中,退火的脂肪。烧窑商业化后容器进行烘干和大气中的氮约1200°圣两ч.установл内,集装箱从熔融石英和基础材料密度покрытиясоставля1.95 g / cm3,多孔~ 11.0%零作弊人数从1到100μm。
Современная область применения кристаллов полупроводникового германия, обязательным
требованием к которым является низкое содержание дефектов и посторонних примесей, включает
космическую фотовольтаику и электронную технику, полупроводниковые детекторы, инфракрасную
оптику и тепловизоры.
В технологии получения монокристаллов германия важную роль играет материал контейнера для
расплава. До недавнего времени в этом качестве преимущественно использовался ультрачистый
графит. Вместе с тем при использовании графитовых контейнеров эффективный коэффициент
распределения ряда примесей в германии, например, Al, B, Ga, приближается к единице и,
соответственно, очистка от них не происходит. Одним из путей решения данной проблемы является
применение новых материалов. К их числу относятся нитрид бора и аморфный оксид кремния,
например, в форме плавленого кварца. Из работы [1] следует, что угол смачивания поверхности
плавленого кварца расплавом германия изменяется в интервале от 150 до 117°. Нитрид бора
смачивается значительно меньше, контактный угол составляет 173°. Однако изготовление
контейнеров из нитрида бора является сложной технической задачей, что обусловлено его высокой
температурой плавления [2]. В работе [3] нами предложен способ изготовления двухслойных
кварцевых контейнеров по керамической технологии с использованием метода шликерного литья.
Суть его состоит в том, что на внутреннюю поверхность керамического кварцевого контейнера,
изготовленного по шликерной технологии, наносится, также методом шликерного литья, покрытие
требуемого состава, которое контактирует при выращивании кристалла с расплавом германия.
Цель настоящей работы – получение кварцевых контейнеров с покрытием на основе аморфного
оксида кремния с добавкой нитрида бора для уменьшения смачивания расплавом германия.
Кварцевые керамические контейнеры изготавливали методом шликерного литья в гипсовую
форму. Для формования применяли водный шликер, содержащий 70 мас. % аморфного SiO2.
Приготовление шликера осуществлялось по методике одностадийного мокрого помола с
использованием плавленого кварца. С этой целью в шаровую мельницу загружали дробленое
кварцевое стекло, добавляли воду, исходя из заданной концентрации твердой фазы. Соотношение
массы шаров и массы загрузки составляло 3:1. После помола в течение 48 ч получали шликер для
литья изделий. После формования изделия избыток шликера сливали и проводили сушку
полуфабриката при комнатной температуре. Для формирования покрытия на внутреннюю
поверхность отливки из плавленого кварца до обжига также методом шликерного литья наносили
покрытие с комбинированным составом, содержащее SiO2 и BN в количестве 75 и 25 масс. %,
соответственно. Введение в состав покрытия большего количества нитрда бора приводило к тому,
что внутренний слой получается неоднородным и растрескивается, либо в ходе сушки изделия, либо
при отжиге. После формования контейнера проводили сушку и обжиг в атмосфере азота при 1200 °С
в течение 2 ч.
Установлено, что плотность основы контейнера из плавленого кварца и материала покрытия
составляет 1,95 г/см3
, пористость ~ 11,0 %, размер зерен изменяется от 1 до 100 мкм.