{"title":"KAJIAN TEORETIK UNTUK MENENTUKAN INDEKS BIAS DARI SEMIKONDUKTOR COPPER-PHTHALOCYANINE BERDASARKAN CELAH ENERGINYA","authors":"Alkhafi Maas Siregar, S NoviFebrina","doi":"10.24114/EINSTEIN.V5I3.12008","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Penelitian ini dilakukan untuk menentukan indeks bias semikonduktor Cu-Phthalocyanine berdasarkan celah energinya. Penentuan indeks bias menggunakan metode semi empiris ZINDO/I dan perhitungan menggunakan pemrograman matlab. Pemodelan struktur diperoleh dengan memberikan masukan, yaitu unsur, senyawa, dan jumlah atom. Optimasi dilakukan menggunakan energi HOMO dan LUMO untuk memperoleh celah energi. Dengan menggunakan Persamaan Moss, Ravindra et al, Herve-Vandamme, Reddy, dan Kumar- Singh, nilai celah energi dapat menentukan nilai indeks bias. Pada energi 3,854757 eV untuk HOMO dan 3,538368 eV untuk LUMO, diperoleh celah energi 0,3164eV. Untuk menentukan nilai indeks bias, celah energi digunakan pada persamaan yang sesuai dengan ketentuan. Berdasarkan ketentuan dari setiap persamaan, nilai indeks bias yang sesuai pada celah energi 0,3164 eV adalah indeks bias dari persamaan Moss, dengan nilai indeks bias yaitu 4,1627. Kata kunci : semikonduktor, phthalocyanine, celah energi, indeks bias","PeriodicalId":375168,"journal":{"name":"EINSTEIN e-JOURNAL","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-01-09","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"EINSTEIN e-JOURNAL","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.24114/EINSTEIN.V5I3.12008","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
摘要
本研究旨在根据能量漏洞确定半导体e - phthalocyine的偏差指数。折射率偏向指数使用半经验津多/I方法和matlab编程计算。结构建模是通过提供元素、化合物和原子数量的输入获得的。优化是利用同性恋能量和润滑来获得能量缺口。通过莫斯方程、Ravindra et al、Herve-Vandamme、Reddy和Kumar- Singh,能源缺口的值可以确定偏差指数的值。在能量为HOMO 3,854757的eV和为LUMO 3,538368的eV之间,获得了0.3164ev的能量间隔。为了确定折射率值偏差,能量漏洞被用于对应的方程。根据每个方程的定义,0.3164 eV能量差距对应的偏差指数是摩斯方程的偏差指数,偏差指数为4.1627。关键词:半导体、phthalocyine、能量漏洞、折射率
KAJIAN TEORETIK UNTUK MENENTUKAN INDEKS BIAS DARI SEMIKONDUKTOR COPPER-PHTHALOCYANINE BERDASARKAN CELAH ENERGINYA
Penelitian ini dilakukan untuk menentukan indeks bias semikonduktor Cu-Phthalocyanine berdasarkan celah energinya. Penentuan indeks bias menggunakan metode semi empiris ZINDO/I dan perhitungan menggunakan pemrograman matlab. Pemodelan struktur diperoleh dengan memberikan masukan, yaitu unsur, senyawa, dan jumlah atom. Optimasi dilakukan menggunakan energi HOMO dan LUMO untuk memperoleh celah energi. Dengan menggunakan Persamaan Moss, Ravindra et al, Herve-Vandamme, Reddy, dan Kumar- Singh, nilai celah energi dapat menentukan nilai indeks bias. Pada energi 3,854757 eV untuk HOMO dan 3,538368 eV untuk LUMO, diperoleh celah energi 0,3164eV. Untuk menentukan nilai indeks bias, celah energi digunakan pada persamaan yang sesuai dengan ketentuan. Berdasarkan ketentuan dari setiap persamaan, nilai indeks bias yang sesuai pada celah energi 0,3164 eV adalah indeks bias dari persamaan Moss, dengan nilai indeks bias yaitu 4,1627. Kata kunci : semikonduktor, phthalocyanine, celah energi, indeks bias