Alkhafi Maas Siregar, S NoviFebrina
{"title":"KAJIAN TEORETIK UNTUK MENENTUKAN INDEKS BIAS DARI SEMIKONDUKTOR COPPER-PHTHALOCYANINE BERDASARKAN CELAH ENERGINYA","authors":"Alkhafi Maas Siregar, S NoviFebrina","doi":"10.24114/EINSTEIN.V5I3.12008","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Penelitian ini dilakukan untuk menentukan indeks bias semikonduktor Cu-Phthalocyanine berdasarkan celah energinya. Penentuan indeks bias menggunakan metode semi empiris ZINDO/I dan perhitungan menggunakan pemrograman matlab. Pemodelan struktur diperoleh dengan memberikan masukan, yaitu unsur, senyawa, dan jumlah atom. Optimasi dilakukan menggunakan energi HOMO dan LUMO untuk memperoleh celah energi. Dengan menggunakan Persamaan Moss, Ravindra et al, Herve-Vandamme, Reddy, dan Kumar- Singh, nilai celah energi dapat menentukan nilai indeks bias. Pada energi 3,854757 eV  untuk HOMO dan 3,538368 eV untuk LUMO, diperoleh celah energi 0,3164eV. Untuk menentukan nilai indeks bias, celah energi digunakan pada persamaan yang sesuai dengan ketentuan.  Berdasarkan ketentuan dari setiap persamaan, nilai indeks bias yang sesuai pada celah energi 0,3164 eV adalah indeks bias dari persamaan Moss, dengan nilai indeks bias yaitu 4,1627.  Kata kunci : semikonduktor, phthalocyanine, celah energi, indeks bias","PeriodicalId":375168,"journal":{"name":"EINSTEIN e-JOURNAL","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-01-09","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"EINSTEIN e-JOURNAL","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.24114/EINSTEIN.V5I3.12008","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

摘要

本研究旨在根据能量漏洞确定半导体e - phthalocyine的偏差指数。折射率偏向指数使用半经验津多/I方法和matlab编程计算。结构建模是通过提供元素、化合物和原子数量的输入获得的。优化是利用同性恋能量和润滑来获得能量缺口。通过莫斯方程、Ravindra et al、Herve-Vandamme、Reddy和Kumar- Singh,能源缺口的值可以确定偏差指数的值。在能量为HOMO 3,854757的eV和为LUMO 3,538368的eV之间,获得了0.3164ev的能量间隔。为了确定折射率值偏差,能量漏洞被用于对应的方程。根据每个方程的定义,0.3164 eV能量差距对应的偏差指数是摩斯方程的偏差指数,偏差指数为4.1627。关键词:半导体、phthalocyine、能量漏洞、折射率
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
KAJIAN TEORETIK UNTUK MENENTUKAN INDEKS BIAS DARI SEMIKONDUKTOR COPPER-PHTHALOCYANINE BERDASARKAN CELAH ENERGINYA
Penelitian ini dilakukan untuk menentukan indeks bias semikonduktor Cu-Phthalocyanine berdasarkan celah energinya. Penentuan indeks bias menggunakan metode semi empiris ZINDO/I dan perhitungan menggunakan pemrograman matlab. Pemodelan struktur diperoleh dengan memberikan masukan, yaitu unsur, senyawa, dan jumlah atom. Optimasi dilakukan menggunakan energi HOMO dan LUMO untuk memperoleh celah energi. Dengan menggunakan Persamaan Moss, Ravindra et al, Herve-Vandamme, Reddy, dan Kumar- Singh, nilai celah energi dapat menentukan nilai indeks bias. Pada energi 3,854757 eV  untuk HOMO dan 3,538368 eV untuk LUMO, diperoleh celah energi 0,3164eV. Untuk menentukan nilai indeks bias, celah energi digunakan pada persamaan yang sesuai dengan ketentuan.  Berdasarkan ketentuan dari setiap persamaan, nilai indeks bias yang sesuai pada celah energi 0,3164 eV adalah indeks bias dari persamaan Moss, dengan nilai indeks bias yaitu 4,1627.  Kata kunci : semikonduktor, phthalocyanine, celah energi, indeks bias
求助全文
通过发布文献求助,成功后即可免费获取论文全文。 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信