基于有源层组成的a-Si:H太阳能电池效率分析

Soni Prayogi
{"title":"基于有源层组成的a-Si:H太阳能电池效率分析","authors":"Soni Prayogi","doi":"10.21776/ub.rbaet.2022.006.02.06","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Studi yang kami lakukkan membahas tentang pembuatan sel surya a-Si:H (Silikon Amorf Terhidrogenasi) dengan menggunakan teknik Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). Sel surya a-Si:H yang kami hasilkan dideposisi pada substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) yang memiliki lapisan konduktif pada lapisannya. Pembuatan lapisan aktif pada sel surya a-Si:H dengan cara mecampur gas silan dan hidrogen secara bersama didalam chamber PECVD. Sementara pada lapisan pasif sel surya a-Si:H dijaga dengan struktur yang tetap. Setelah sel surya a-Si:H terbentuk ditambah lapisan logam di bagian belakang yang berfungsi sebagai kontak listrik dan reflektor cahaya. Selain itu juga, sifat fisis yaitu ketebalan-morfologi, sifat optik yaitu celah pita, sifat elektrik yaitu konduktivitas listrik, dan karakterisasi I-V sel surya a-Si:H dikarakterisasi dengan simulator surya dan sinar matahari. Hasil kami memperlihatkan, sel surya a-Si:H lapisan aktif yang diperoleh dari pekerjaan ini, mendapatkan efisiensi konversinya yang cukup baik sebesar 8,48%. Kami meyakini bahwa pekerjaan yang kami lakukkan menjadi upaya yang baik dalam menyelesaikan permasalahan energi terbarukan di indonesia.","PeriodicalId":163681,"journal":{"name":"Rekayasa Bahan Alam dan Energi Berkelanjutan","volume":"31 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-12-30","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"1","resultStr":"{\"title\":\"Analysis of a-Si:H Solar Cell Efficiency Based on Active Layer Composition\",\"authors\":\"Soni Prayogi\",\"doi\":\"10.21776/ub.rbaet.2022.006.02.06\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Studi yang kami lakukkan membahas tentang pembuatan sel surya a-Si:H (Silikon Amorf Terhidrogenasi) dengan menggunakan teknik Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). Sel surya a-Si:H yang kami hasilkan dideposisi pada substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) yang memiliki lapisan konduktif pada lapisannya. Pembuatan lapisan aktif pada sel surya a-Si:H dengan cara mecampur gas silan dan hidrogen secara bersama didalam chamber PECVD. Sementara pada lapisan pasif sel surya a-Si:H dijaga dengan struktur yang tetap. Setelah sel surya a-Si:H terbentuk ditambah lapisan logam di bagian belakang yang berfungsi sebagai kontak listrik dan reflektor cahaya. Selain itu juga, sifat fisis yaitu ketebalan-morfologi, sifat optik yaitu celah pita, sifat elektrik yaitu konduktivitas listrik, dan karakterisasi I-V sel surya a-Si:H dikarakterisasi dengan simulator surya dan sinar matahari. Hasil kami memperlihatkan, sel surya a-Si:H lapisan aktif yang diperoleh dari pekerjaan ini, mendapatkan efisiensi konversinya yang cukup baik sebesar 8,48%. Kami meyakini bahwa pekerjaan yang kami lakukkan menjadi upaya yang baik dalam menyelesaikan permasalahan energi terbarukan di indonesia.\",\"PeriodicalId\":163681,\"journal\":{\"name\":\"Rekayasa Bahan Alam dan Energi Berkelanjutan\",\"volume\":\"31 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2022-12-30\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"1\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Rekayasa Bahan Alam dan Energi Berkelanjutan\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.21776/ub.rbaet.2022.006.02.06\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Rekayasa Bahan Alam dan Energi Berkelanjutan","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21776/ub.rbaet.2022.006.02.06","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 1

摘要

我们的研究涉及到太阳能a-Si:H(用于增强化学气体排放的血浆技术)的生成。太阳能电池a-Si:我们产生的H与上皮有导电胶质玻璃底位。太阳能电池a-Si的活性层形成:H,通过将氯气和氢混合在PECVD室内。而在太阳能a-Si细胞的被动层上:H保持着一个固定的结构。太阳能电池a-Si:H形成后,背部有一层金属,用作电接触和光反射。此外,神经系统的厚度、色带的光学性质、电传导的电性质、太阳能电池a-Si的I-V型特征和太阳模拟器进行神经分析。我们的结果显示,太阳能电池a-Si:从这项工作中获得的活跃的H层,获得了相当好的融合效率8.48%。我们相信,我们的工作是解决印尼可再生能源问题的良好努力。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
Analysis of a-Si:H Solar Cell Efficiency Based on Active Layer Composition
Studi yang kami lakukkan membahas tentang pembuatan sel surya a-Si:H (Silikon Amorf Terhidrogenasi) dengan menggunakan teknik Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). Sel surya a-Si:H yang kami hasilkan dideposisi pada substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) yang memiliki lapisan konduktif pada lapisannya. Pembuatan lapisan aktif pada sel surya a-Si:H dengan cara mecampur gas silan dan hidrogen secara bersama didalam chamber PECVD. Sementara pada lapisan pasif sel surya a-Si:H dijaga dengan struktur yang tetap. Setelah sel surya a-Si:H terbentuk ditambah lapisan logam di bagian belakang yang berfungsi sebagai kontak listrik dan reflektor cahaya. Selain itu juga, sifat fisis yaitu ketebalan-morfologi, sifat optik yaitu celah pita, sifat elektrik yaitu konduktivitas listrik, dan karakterisasi I-V sel surya a-Si:H dikarakterisasi dengan simulator surya dan sinar matahari. Hasil kami memperlihatkan, sel surya a-Si:H lapisan aktif yang diperoleh dari pekerjaan ini, mendapatkan efisiensi konversinya yang cukup baik sebesar 8,48%. Kami meyakini bahwa pekerjaan yang kami lakukkan menjadi upaya yang baik dalam menyelesaikan permasalahan energi terbarukan di indonesia.
求助全文
通过发布文献求助,成功后即可免费获取论文全文。 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信