ÇOKLU KUANTUM TEL KUYULARINDA ELEKTRİK ALAN VE MANYETİK ALAN’IN ELEKTRONİK ÖZELLİKLERE ETKİSİ

Çoklu (Dört, Beş) kare kuyu tel sistemine dışarıdan uygulanan elektrik ve manyetik alan etkisi altında elektronun bağlanma enerjisi hesaplandı. Bağlanma enerjisinin, dışarıdan uygulanan etkilere ve tel sayısına bağlılığı gösterildi. Çoklu kuantum kuyu yapısı GaAs ve AlxGa1-xAs yarıiletken malzemeden oluşturuldu. Tel yapıya elektrik alan pozitif x doğrultusunda ve manyetik alan ise eksi z yönünde olacak şekilde seçildi. Hesaplamada sonlu farklar yöntemi kullanıldı. Bağlanma enerjisinin farklı alanlar altında tel sayısına bağlılığı gösterildi. Ayrıca dışarıdan uygulanan alanların, elektronun gördüğü potansiyele ve elektronun bulunma olasılığına etkisi gösterildi. Bu tür yapıların detaylı incelenmesi, hem yapının elektronik özelliklerinin teorik olarak anlaşılmasını sağlayacak, hem de teknolojik cihaz üretiminde daha ekonomik bir yol gösterecektir.