Светлана Евгеньевна Балаченкова, Григорий Евгеньевич Адамов, Константин Сергеевич Левченко, Антон Юрьевич Калашников, Павел Сергеевич Шмелин, Е.П. Гребенников
{"title":"ИЗУЧЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛИМЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ПРОИЗВОДНЫХ БЕНЗОЦИКЛОБУТЕНА","authors":"Светлана Евгеньевна Балаченкова, Григорий Евгеньевич Адамов, Константин Сергеевич Левченко, Антон Юрьевич Калашников, Павел Сергеевич Шмелин, Е.П. Гребенников","doi":"10.6060/RCJ.2020643.12","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В рамках статьи исследованы диэлектрические характеристики полимерных пленок двух аллил-замещенных производных силанов с бензоциклобутеновым заместителем и их сополимеров с диметакрилатом триэтиленгликоля, введение которого придавало материалам способность к фотополимеризации. Полученные значения диэлектрической проницаемости (менее 2,9 на частоте 10 ГГц) и тангенса угла потерь (менее 3⋅10–3 на частоте 10 ГГц) делают разработанные материалы перспективными для применения в качестве диэлектрических покрытий в технологических процессах формирования компонентов электронных устройств.","PeriodicalId":304460,"journal":{"name":"Российский химический журнал","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2020-12-25","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Российский химический журнал","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.6060/RCJ.2020643.12","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
ИЗУЧЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛИМЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ПРОИЗВОДНЫХ БЕНЗОЦИКЛОБУТЕНА
В рамках статьи исследованы диэлектрические характеристики полимерных пленок двух аллил-замещенных производных силанов с бензоциклобутеновым заместителем и их сополимеров с диметакрилатом триэтиленгликоля, введение которого придавало материалам способность к фотополимеризации. Полученные значения диэлектрической проницаемости (менее 2,9 на частоте 10 ГГц) и тангенса угла потерь (менее 3⋅10–3 на частоте 10 ГГц) делают разработанные материалы перспективными для применения в качестве диэлектрических покрытий в технологических процессах формирования компонентов электронных устройств.