Principal Component Analysis for Refractory Metal Silicide Investigations with Auger Electron Spectroscopy

Systematic studies of Auger line shape changes for the silicon LVV transition in refractory metal silicides confirm the homeotypism of these materials. Using this peak for principal component analysis (PCA) the identification of silicide phases is shown for Cr, Mo, W, and Ti disilicides. PCA depth profiling is less influenced by sputter and matrix effects than usual Auger depth profiles using elemental sensitivity factors. The position of the silicon-silicide interface is well defined by the crossover of the components in the PCA profiles. An interface component between MoSi2, and Si is determined. Systematische Untersuchungen der AES-Linienform des Silizium-LVV-Ubergangs an schwer-schmelzenden Metallsiliziden bestatigen den Homeotypismus dieser Materialien. Mit der Prinzipiellen Komponenten-Analyse (PCA) ist anhand dieses Peaks die Silizidphasen-Identizierung fur Cr-, No-, W-und Ti-Disilizide moglich. PCA-Tiefenprofile werden durch Sputter-und Matrix-effekte weniger gestort als die herkommliche AES-Tiefenprofilanalyse mit Reinelement-Empfind-lichkeitsfaktoren. Die Position der Silizium-Silizid-Grenzflache wird durch den Schnittpunkt der Komponenten bei PCA-Tiefenprofilen eindeutig bestimmt. Eine Grenzflachenkomponente zwi-schen MoSi, und Si wird mit PCA gefunden.