{"title":"闪蒸InSb薄膜电导率与温度和厚度的关系","authors":"Anila Sharma, P. Reddy","doi":"10.1002/PSSA.2210790120","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"The electrical conductivity as a function of film temperature, substrate temperature, and thickness is reported on InSb films flash evaporated onto gold seal glass, freshly cleaved mica and cleaved NaCl substrates in a vacuum of 6.7 × 10−4 Pa. Post deposition annealing shows an interesting behaviour in the electrical conductivity. The structure of the films is found to improve with substrate temperature and single crystal growth is observed at Ts = 573 K. While the electrical conductivity shows an increasing behaviour with substrate temperature and thickness, the activation energy shows a decreasing trend. \n \n \n \nDie elektrische Leitfahigkeit wird in Abhangigkeit von der Schichttemperatur, Substrattemperatur und Dicke an InSb-Schichten untersucht, die auf goldversiegeltem Glas, frisch gespaltenem Glimmer und im Vakuum von 6,7 × 10−4 Pa gespaltenen NaCl-Substraten blitzaufgedampft werden. Eine Temperung nach der Aufbringnng ergibt ein interessantes Verhalten der elektrischen Leitfihigkeit. Es wird gefunden, daB sich die Struktur der Schichten mit der Substrattemperatur ver-bessert und bei Ts = 573 K wird Einkristallwachstum beobachtet. Wahrend die elektrische Leitfahigkeit mit der Substrattemperatur und Dicke ein steigendes Verhalten zeigt, hat die Akti-vierungsenergie einen fallenden Trend.","PeriodicalId":356212,"journal":{"name":"Septemmber 16","volume":"52 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"1983-09-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"2","resultStr":"{\"title\":\"Temperature and Thickness Dependence of Electrical Conductivity of Flash-Evaporated InSb Films\",\"authors\":\"Anila Sharma, P. Reddy\",\"doi\":\"10.1002/PSSA.2210790120\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"The electrical conductivity as a function of film temperature, substrate temperature, and thickness is reported on InSb films flash evaporated onto gold seal glass, freshly cleaved mica and cleaved NaCl substrates in a vacuum of 6.7 × 10−4 Pa. Post deposition annealing shows an interesting behaviour in the electrical conductivity. The structure of the films is found to improve with substrate temperature and single crystal growth is observed at Ts = 573 K. While the electrical conductivity shows an increasing behaviour with substrate temperature and thickness, the activation energy shows a decreasing trend. \\n \\n \\n \\nDie elektrische Leitfahigkeit wird in Abhangigkeit von der Schichttemperatur, Substrattemperatur und Dicke an InSb-Schichten untersucht, die auf goldversiegeltem Glas, frisch gespaltenem Glimmer und im Vakuum von 6,7 × 10−4 Pa gespaltenen NaCl-Substraten blitzaufgedampft werden. Eine Temperung nach der Aufbringnng ergibt ein interessantes Verhalten der elektrischen Leitfihigkeit. Es wird gefunden, daB sich die Struktur der Schichten mit der Substrattemperatur ver-bessert und bei Ts = 573 K wird Einkristallwachstum beobachtet. Wahrend die elektrische Leitfahigkeit mit der Substrattemperatur und Dicke ein steigendes Verhalten zeigt, hat die Akti-vierungsenergie einen fallenden Trend.\",\"PeriodicalId\":356212,\"journal\":{\"name\":\"Septemmber 16\",\"volume\":\"52 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"1983-09-16\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"2\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Septemmber 16\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.1002/PSSA.2210790120\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Septemmber 16","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2210790120","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
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摘要
本文报道了在6.7 × 10−4 Pa真空条件下,在金封玻璃、新切割的云母和切割的NaCl基底上闪蒸的InSb薄膜的电导率与薄膜温度、衬底温度和厚度的关系。沉积后退火在电导率方面表现出有趣的行为。发现薄膜的结构随着衬底温度的升高而改善,在Ts = 573 K时观察到单晶生长。电导率随衬底温度和厚度的增加而增加,而活化能则呈下降趋势。Die elektrische Leitfahigkeit wind in Abhangigkeit von der schichhttemperature, substrattemperature and Dicke and InSb-Schichten untersucht, Die auf versiegeltem glass, frisch gespaltenem Glimmer and im vacuum von 6,7 × 10−4 Pa gespaltenen NaCl-Substraten blitzaufgedampft werden。电气化技术是一种新型的技术,它能使人们的生活更加美好。(3)风洞式风洞,风洞式风洞,风洞式风洞,风洞式风洞,风洞式风洞。Wahrend die elektrische Leitfahigkeit mit der substrattemperature and Dicke ein steigendes Verhalten zight,即die anti - vierungergergie enendenden Trend。
Temperature and Thickness Dependence of Electrical Conductivity of Flash-Evaporated InSb Films
The electrical conductivity as a function of film temperature, substrate temperature, and thickness is reported on InSb films flash evaporated onto gold seal glass, freshly cleaved mica and cleaved NaCl substrates in a vacuum of 6.7 × 10−4 Pa. Post deposition annealing shows an interesting behaviour in the electrical conductivity. The structure of the films is found to improve with substrate temperature and single crystal growth is observed at Ts = 573 K. While the electrical conductivity shows an increasing behaviour with substrate temperature and thickness, the activation energy shows a decreasing trend.
Die elektrische Leitfahigkeit wird in Abhangigkeit von der Schichttemperatur, Substrattemperatur und Dicke an InSb-Schichten untersucht, die auf goldversiegeltem Glas, frisch gespaltenem Glimmer und im Vakuum von 6,7 × 10−4 Pa gespaltenen NaCl-Substraten blitzaufgedampft werden. Eine Temperung nach der Aufbringnng ergibt ein interessantes Verhalten der elektrischen Leitfihigkeit. Es wird gefunden, daB sich die Struktur der Schichten mit der Substrattemperatur ver-bessert und bei Ts = 573 K wird Einkristallwachstum beobachtet. Wahrend die elektrische Leitfahigkeit mit der Substrattemperatur und Dicke ein steigendes Verhalten zeigt, hat die Akti-vierungsenergie einen fallenden Trend.