{"title":"多通道红外光电接收装置红外无线电测定","authors":"","doi":"10.34077/rcsp2019-61","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В основу принципа действия инфракрасных радиометров положено преобразование ИК-излучения\nот объектов наблюдения в электрические сигналы, на основе которых формируется видимое\nизображение или задается механизм обработки параметров наблюдаемых объектов при различных\nфоновых потоках. Для работы в заданных диапазонах ИК области спектра радиометры включают в\nсвой состав специальные крупноформатные, высокочувствительные фотоприемные устройства\n(ФПУ), использующие матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с обработкой данных в БИС\nсчитывания. Среди различных полупроводниковых материалов, чувствительных в ИК области\nспектра, тройные растворы HgCdTe являются лучшим полупроводниковым соединением с точки\nзрения достижения максимальных фотоэлектрических параметров [1, 2] в заданных ИК диапазонах\nспектра, что связано с выбором архитектуры фоточувствительных элементов с уменьшенным\nвлиянием тепловых процессов при детектировании излучения.\nДля включения в состав инфракрасного\nрадиометра изготовлены по планарной\nтехнологии на основе гетероэпитаксиальных\nструктур с поглощающим слоем HgCdTe p-типа\nпроводимости ФПУ, чувствительные в\nсредневолновом и длинноволновом ИК\nдиапазонах спектра. Проведены исследования\nтемновых токов и шумов фоточувствительных\nэлементов (ФЧЭ) многорядных фотоприемных\nмодулей на основе гетероэпитаксиальных (ГЭС)\nструктур HgCdTe с шагом 28 мкм\nсредневолнового и длинноволнового ИК\nдиапазонов спектра при обратном напряжении\nсмещения V = -0,1 В. На рис. 1 показана\nтемпературная зависимость темнового тока для\nобразца средневолнового диапазона спектра\n(Δλ=3.5-4,1 мкм). Значение обнаружительной\nспособности D* ≥ 1012 для ФПУ\nсредневолнового диапазона достигается при\nтемновых токах менее 10-11 А, что достижимо\nдля температуры охлаждения Т = 80 К.\nПроведены теоретические и экспериментальные исследования величин и источников выходного\nшума ФПУ длинноволнового ИК диапазона спектра в зависимости от времени накопления в\nдиапазоне Тнак = 25 – 200 мкс. Показано, что шум прибора включает шум ФЧЭ и входной ячейки\nсчитывания мультиплексора. Шум фотодиода он включает шум ячейки считывания, который должен\nбыть существенно меньше шума фотодиода, а емкость накопления ячейки считывания для ФПУ\nдлинноволнового диапазона должна быть менее 10 фФ.","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"44 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Инфракрасная радиометрия на основе многорядных\\nинфракрасных фотоприемных устройств\",\"authors\":\"\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2019-61\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В основу принципа действия инфракрасных радиометров положено преобразование ИК-излучения\\nот объектов наблюдения в электрические сигналы, на основе которых формируется видимое\\nизображение или задается механизм обработки параметров наблюдаемых объектов при различных\\nфоновых потоках. Для работы в заданных диапазонах ИК области спектра радиометры включают в\\nсвой состав специальные крупноформатные, высокочувствительные фотоприемные устройства\\n(ФПУ), использующие матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с обработкой данных в БИС\\nсчитывания. Среди различных полупроводниковых материалов, чувствительных в ИК области\\nспектра, тройные растворы HgCdTe являются лучшим полупроводниковым соединением с точки\\nзрения достижения максимальных фотоэлектрических параметров [1, 2] в заданных ИК диапазонах\\nспектра, что связано с выбором архитектуры фоточувствительных элементов с уменьшенным\\nвлиянием тепловых процессов при детектировании излучения.\\nДля включения в состав инфракрасного\\nрадиометра изготовлены по планарной\\nтехнологии на основе гетероэпитаксиальных\\nструктур с поглощающим слоем HgCdTe p-типа\\nпроводимости ФПУ, чувствительные в\\nсредневолновом и длинноволновом ИК\\nдиапазонах спектра. Проведены исследования\\nтемновых токов и шумов фоточувствительных\\nэлементов (ФЧЭ) многорядных фотоприемных\\nмодулей на основе гетероэпитаксиальных (ГЭС)\\nструктур HgCdTe с шагом 28 мкм\\nсредневолнового и длинноволнового ИК\\nдиапазонов спектра при обратном напряжении\\nсмещения V = -0,1 В. На рис. 1 показана\\nтемпературная зависимость темнового тока для\\nобразца средневолнового диапазона спектра\\n(Δλ=3.5-4,1 мкм). Значение обнаружительной\\nспособности D* ≥ 1012 для ФПУ\\nсредневолнового диапазона достигается при\\nтемновых токах менее 10-11 А, что достижимо\\nдля температуры охлаждения Т = 80 К.\\nПроведены теоретические и экспериментальные исследования величин и источников выходного\\nшума ФПУ длинноволнового ИК диапазона спектра в зависимости от времени накопления в\\nдиапазоне Тнак = 25 – 200 мкс. Показано, что шум прибора включает шум ФЧЭ и входной ячейки\\nсчитывания мультиплексора. Шум фотодиода он включает шум ячейки считывания, который должен\\nбыть существенно меньше шума фотодиода, а емкость накопления ячейки считывания для ФПУ\\nдлинноволнового диапазона должна быть менее 10 фФ.\",\"PeriodicalId\":118786,\"journal\":{\"name\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"volume\":\"44 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2019-05-24\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-61\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-61","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Инфракрасная радиометрия на основе многорядных
инфракрасных фотоприемных устройств
В основу принципа действия инфракрасных радиометров положено преобразование ИК-излучения
от объектов наблюдения в электрические сигналы, на основе которых формируется видимое
изображение или задается механизм обработки параметров наблюдаемых объектов при различных
фоновых потоках. Для работы в заданных диапазонах ИК области спектра радиометры включают в
свой состав специальные крупноформатные, высокочувствительные фотоприемные устройства
(ФПУ), использующие матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с обработкой данных в БИС
считывания. Среди различных полупроводниковых материалов, чувствительных в ИК области
спектра, тройные растворы HgCdTe являются лучшим полупроводниковым соединением с точки
зрения достижения максимальных фотоэлектрических параметров [1, 2] в заданных ИК диапазонах
спектра, что связано с выбором архитектуры фоточувствительных элементов с уменьшенным
влиянием тепловых процессов при детектировании излучения.
Для включения в состав инфракрасного
радиометра изготовлены по планарной
технологии на основе гетероэпитаксиальных
структур с поглощающим слоем HgCdTe p-типа
проводимости ФПУ, чувствительные в
средневолновом и длинноволновом ИК
диапазонах спектра. Проведены исследования
темновых токов и шумов фоточувствительных
элементов (ФЧЭ) многорядных фотоприемных
модулей на основе гетероэпитаксиальных (ГЭС)
структур HgCdTe с шагом 28 мкм
средневолнового и длинноволнового ИК
диапазонов спектра при обратном напряжении
смещения V = -0,1 В. На рис. 1 показана
температурная зависимость темнового тока для
образца средневолнового диапазона спектра
(Δλ=3.5-4,1 мкм). Значение обнаружительной
способности D* ≥ 1012 для ФПУ
средневолнового диапазона достигается при
темновых токах менее 10-11 А, что достижимо
для температуры охлаждения Т = 80 К.
Проведены теоретические и экспериментальные исследования величин и источников выходного
шума ФПУ длинноволнового ИК диапазона спектра в зависимости от времени накопления в
диапазоне Тнак = 25 – 200 мкс. Показано, что шум прибора включает шум ФЧЭ и входной ячейки
считывания мультиплексора. Шум фотодиода он включает шум ячейки считывания, который должен
быть существенно меньше шума фотодиода, а емкость накопления ячейки считывания для ФПУ
длинноволнового диапазона должна быть менее 10 фФ.