硒化铋微结构中的细胞系转换

Nanoindustry Russia Pub Date : 2022-05-27 DOI:10.22184/1993-8578.2022.15.8s.504.508

Алексей Викторович Зотов, А. И. Ильин, Олег Владимирович Трофимов, Владимир Тарасович Волков, В. А. Тулин

{"title":"硒化铋微结构中的细胞系转换","authors":"Алексей Викторович Зотов, А. И. Ильин, Олег Владимирович Трофимов, Владимир Тарасович Волков, В. А. Тулин","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.504.508","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Методом электронной литографии к чешуйкам Bi2Se3, перенесенным скотчем на подложку SiO2, созданы образцы, в которых исследованы процессы резистивных переключений и возможность управления многоуровневыми мемристивными состояниями.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"59 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"МЕМРИСТИВНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В МИКРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ВИСМУТА\",\"authors\":\"Алексей Викторович Зотов, А. И. Ильин, Олег Владимирович Трофимов, Владимир Тарасович Волков, В. А. Тулин\",\"doi\":\"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.504.508\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Методом электронной литографии к чешуйкам Bi2Se3, перенесенным скотчем на подложку SiO2, созданы образцы, в которых исследованы процессы резистивных переключений и возможность управления многоуровневыми мемристивными состояниями.\",\"PeriodicalId\":223196,\"journal\":{\"name\":\"Nanoindustry Russia\",\"volume\":\"59 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2022-05-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Nanoindustry Russia\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.504.508\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Nanoindustry Russia","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.504.508","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

摘要

电子石版法将Bi2Se3鳞片移植到SiO2底盘上，提供了对电阻转换过程和多层膜状态管理能力的样本。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

查看原文本刊更多论文

МЕМРИСТИВНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В МИКРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ВИСМУТА

Методом электронной литографии к чешуйкам Bi2Se3, перенесенным скотчем на подложку SiO2, созданы образцы, в которых исследованы процессы резистивных переключений и возможность управления многоуровневыми мемристивными состояниями.

求助全文

通过发布文献求助，成功后即可免费获取论文全文。去求助

来源期刊

Nanoindustry Russia

自引率

0.00%

发文量