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摘要
在HT-6B TOKAMAK装置上,利用低混杂波驱动电流实现了等离子体约束改善,粒子约束时间增加2~6倍,等离子体内能增加一倍,低混杂波驱动电流改善约束存在一密度窗口:n e =(0.3~1.5)×10 13 cm -3 ,约束改善时伴随着边界快扰动的抑制和边界电子温度梯度的增大,此约束改善的功率阈值较低,最后讨论了此约束改善的物理机制,分析表明此约束改善现象可能是低混杂波在等离子体内产生一定数量具有一定能量的高能电子所造成.
在HT-6B TOKAMAK装置上,利用低混杂波驱动电流实现了等离子体约束改善,粒子约束时间增加2~6倍,等离子体内能增加一倍,低混杂波驱动电流改善约束存在一密度窗口:n e =(0.3~1.5)×10 13 cm -3 ,约束改善时伴随着边界快扰动的抑制和边界电子温度梯度的增大,此约束改善的功率阈值较低,最后讨论了此约束改善的物理机制,分析表明此约束改善现象可能是低混杂波在等离子体内产生一定数量具有一定能量的高能电子所造成.