{"title":"研究mop晶体管中积累的电荷与重装粒子线性能量损失之间的关系","authors":"А.А. Глушко, М.Р. Гусев, В.В. Макарчук","doi":"10.22184/1993-8578.2023.16.5.298.305","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Проведено приборно-технологическое моделирование МОП-транзистора, подвергшегося воздействию тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ). Предложена и проверена гипотеза о линейной зависимости накопленного в приборе заряда от величины линейной потери энергии попадающей в него частицы. Определены наиболее чувствительные к радиационному воздействию области рассматриваемого транзистора.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"91 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-08-31","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ НАКОПЛЕННОГО ЗАРЯДА В МОП-ТРАНЗИСТОРЕ ОТ ЛИНЕЙНОЙ ПОТЕРИ ЭНЕРГИИ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ\",\"authors\":\"А.А. Глушко, М.Р. Гусев, В.В. Макарчук\",\"doi\":\"10.22184/1993-8578.2023.16.5.298.305\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Проведено приборно-технологическое моделирование МОП-транзистора, подвергшегося воздействию тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ). Предложена и проверена гипотеза о линейной зависимости накопленного в приборе заряда от величины линейной потери энергии попадающей в него частицы. Определены наиболее чувствительные к радиационному воздействию области рассматриваемого транзистора.\",\"PeriodicalId\":223196,\"journal\":{\"name\":\"Nanoindustry Russia\",\"volume\":\"91 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2023-08-31\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Nanoindustry Russia\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.5.298.305\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Nanoindustry Russia","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.5.298.305","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ НАКОПЛЕННОГО ЗАРЯДА В МОП-ТРАНЗИСТОРЕ ОТ ЛИНЕЙНОЙ ПОТЕРИ ЭНЕРГИИ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
Проведено приборно-технологическое моделирование МОП-транзистора, подвергшегося воздействию тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ). Предложена и проверена гипотеза о линейной зависимости накопленного в приборе заряда от величины линейной потери энергии попадающей в него частицы. Определены наиболее чувствительные к радиационному воздействию области рассматриваемого транзистора.