Characterization of Deep Energy Levels in Mercuric Iodide

The past few years have seen an increasing interest in HgI2 detectors for room temperature γ- and X-ray spectrometry. Performance and effective thickness of these detectors are presently limited by carrier trapping which results in incomplete charge collection. Characterization of the trapping levels is performed by several photoelectronic methods (photoconductivity, thermal and optical quenching of the photoconductivity, TSC, lifetime measurement). A model is proposed taking into account the results obtained by these techniques in both, vapor phase and solution grown crystals. Depuis quelques annees, les detecteurs Hgl2 presentent un interět croissant pour la spectrometric des photons γ et × a la temperature ordinaire. Les performances et l'epaisseur utile de ces detecteurs sont actuellement limitees par des phenomenes de piegeage qui affectent la collecte des charges creees par les photons. La caracterisation des niveaux localises dans la bande interdite, responsable de ce piegeage, a ete menee par differentes methodes photoelectroniques (photoconductivite, quenching thermique et optique de la photoconductivite TSC, mesure de duree de vie). Un modele est propose prenant en compte les resultats obtenus par ces methodes sur des cristaux realises soit a partir de la phase vapeur, soit en solution.