288 x 4型线性光电接收器

{"title":"288 x 4型线性光电接收器","authors":"","doi":"10.34077/rcsp2019-162","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Проведен анализ возможности изготовления линейных фотоприемных модулей (ФПМ)\nдлинноволнового инфракрасного (ДВИК) диапазона 8-12,5 мкм большого формата на основе\nсоединения ГЭС КРТ МЛЭ, выращенного на подложках из кремния. Проведен анализ текущего\nсостояния исследований в части крупноформатных ИК приемников, а также вопросов изготовления\nДВИК ФПМ в мире и в России. Обоснована необходимость применения в составе фотоприемных\nустройств (ФПУ) на основе таких ФПМ микрокриогенных систем высокой производительности для\nохлаждения ниже температуры кипения азота.\nРассмотрены основные физические и технологические ограничения, возникающие при создании\nДВИК фоточувствительных модулей большого формата. Показано, что неоднородность состава по\nплощади выпускаемых в ИФП СО РАН ГЭС КРТ МЛЭ позволяет изготавливать ФПМ длиной не\nменее 32 мм. Обсуждается вопрос современной технологии изготовления кремниевых схем\nсчитывания (КСС) и показано, что возможно изготовление чипов размером до 16 см, однако с\nсущественным снижением процента выхода годных. Оптимальный максимальный размер КСС\nсоставляет от 22 до 32 мм, в зависимости от технологии.\nОбсуждаются вопросы влияния узкополосных фильтров на однородность сигнала и связанные с\nэтим требования к материалу. Расчетным методом определена зависимость диффузионной длины,\nтемнового и фототока фоточувствительных элементов (ФЧЭ) от электрофизических свойств\nматериала и связанные с этим неоднородности сигнала. Обсуждается польза перехода от планарной\nтехнологии к меза-технологии и связанные с этим ограничения. Рассчитано влияние толщины\nрабочего слоя ГЭС КРТ на значение ДВ границы чувствительности фотодиодов. Проведен анализ\nвеличины неоднородности рабочего смещения на диодах. Рассчитано влияние температуры на ДВ\nграницу ФЧЭ.\nПроведен анализ вопросов гибридизации ФЧЭ и КСС больших размеров и форматов. Показано,\nчто для текущего уровня технологии изготовления гибридных сборок методом flip-chip для ФЧЭ, на\nоснове КРТ на подложках из кремния, возможно изготовления ФПМ размером до 40×40 мм либо\nлинейчатого ФПМ длиной 58 мм. Обсуждается вопрос кривизны подложек из кремния.\nПроведены экспериментальные исследования возможности изготовления ДВИК ФПМ на основе\nКРТ на подложках из кремния. Рассмотрены возможности и ограничения традиционной технологии.\nОбсуждаются возможности оптимизации конструкции ГЭС КРТ для еще большего повышения D*.\nВеличина обнаружительной способности в максимуме спектральной чувствительности D*, с\nучетом ВЗН, по 4 элементам для ИК ФПМ на основе ГЭС КРТ на подложке из кремния достигает\nзначения 9.2×1010 Гц1/2×см×Вт-1 для спектрального диапазона от 8 до 12,5 мкм при температуре 65К\nс использованием отсекающего коротковолнового фильтра.\nРазработаны предложения по созданию ФПМ ИК диапазона на основе ГЭС КРТ на подложках из\nкремния увеличенной размерности для ДВИК диапазона. Сформулированы дальнейшие направления\nисследований для повышения характеристик таких ФПМ, а также создания ФПУ на их основе.","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"114 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Линейчатые фотоприемники формата 288×4 на основе ГЭС КРТ МЛЭ на подложках из\\nкремния для диапазона 8-12.5 мкм\",\"authors\":\"\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2019-162\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Проведен анализ возможности изготовления линейных фотоприемных модулей (ФПМ)\\nдлинноволнового инфракрасного (ДВИК) диапазона 8-12,5 мкм большого формата на основе\\nсоединения ГЭС КРТ МЛЭ, выращенного на подложках из кремния. Проведен анализ текущего\\nсостояния исследований в части крупноформатных ИК приемников, а также вопросов изготовления\\nДВИК ФПМ в мире и в России. Обоснована необходимость применения в составе фотоприемных\\nустройств (ФПУ) на основе таких ФПМ микрокриогенных систем высокой производительности для\\nохлаждения ниже температуры кипения азота.\\nРассмотрены основные физические и технологические ограничения, возникающие при создании\\nДВИК фоточувствительных модулей большого формата. Показано, что неоднородность состава по\\nплощади выпускаемых в ИФП СО РАН ГЭС КРТ МЛЭ позволяет изготавливать ФПМ длиной не\\nменее 32 мм. Обсуждается вопрос современной технологии изготовления кремниевых схем\\nсчитывания (КСС) и показано, что возможно изготовление чипов размером до 16 см, однако с\\nсущественным снижением процента выхода годных. Оптимальный максимальный размер КСС\\nсоставляет от 22 до 32 мм, в зависимости от технологии.\\nОбсуждаются вопросы влияния узкополосных фильтров на однородность сигнала и связанные с\\nэтим требования к материалу. Расчетным методом определена зависимость диффузионной длины,\\nтемнового и фототока фоточувствительных элементов (ФЧЭ) от электрофизических свойств\\nматериала и связанные с этим неоднородности сигнала. Обсуждается польза перехода от планарной\\nтехнологии к меза-технологии и связанные с этим ограничения. Рассчитано влияние толщины\\nрабочего слоя ГЭС КРТ на значение ДВ границы чувствительности фотодиодов. Проведен анализ\\nвеличины неоднородности рабочего смещения на диодах. Рассчитано влияние температуры на ДВ\\nграницу ФЧЭ.\\nПроведен анализ вопросов гибридизации ФЧЭ и КСС больших размеров и форматов. Показано,\\nчто для текущего уровня технологии изготовления гибридных сборок методом flip-chip для ФЧЭ, на\\nоснове КРТ на подложках из кремния, возможно изготовления ФПМ размером до 40×40 мм либо\\nлинейчатого ФПМ длиной 58 мм. Обсуждается вопрос кривизны подложек из кремния.\\nПроведены экспериментальные исследования возможности изготовления ДВИК ФПМ на основе\\nКРТ на подложках из кремния. Рассмотрены возможности и ограничения традиционной технологии.\\nОбсуждаются возможности оптимизации конструкции ГЭС КРТ для еще большего повышения D*.\\nВеличина обнаружительной способности в максимуме спектральной чувствительности D*, с\\nучетом ВЗН, по 4 элементам для ИК ФПМ на основе ГЭС КРТ на подложке из кремния достигает\\nзначения 9.2×1010 Гц1/2×см×Вт-1 для спектрального диапазона от 8 до 12,5 мкм при температуре 65К\\nс использованием отсекающего коротковолнового фильтра.\\nРазработаны предложения по созданию ФПМ ИК диапазона на основе ГЭС КРТ на подложках из\\nкремния увеличенной размерности для ДВИК диапазона. Сформулированы дальнейшие направления\\nисследований для повышения характеристик таких ФПМ, а также создания ФПУ на их основе.\",\"PeriodicalId\":118786,\"journal\":{\"name\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"volume\":\"114 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2019-05-24\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-162\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-162","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

摘要

分析了长波红外波段8-12 - 2.5 m高格式的线性光电接收模块(pm)的能力,基于基于硅基质的gt - mg。对大型红外接收器的研究现状进行了分析,以及世界上和俄罗斯的fpm制造问题。有理由在光电接收(pcu)中使用这种高性能微低温系统,以低于氮气沸腾温度。研究了大型光敏模块产生的物理和技术限制。结果显示,在lfp中,seo ran gas krt生产的不同成分使ppm至少有32毫米长。关于硅电路(css)的现代技术的讨论已经被讨论过,表明可以制造出高达16厘米的芯片,但有效输出的比例却大幅下降。最优的最大尺寸是22到32毫米,这取决于技术。讨论了窄频带滤波器对信号均匀性的影响以及相关材料需求。计算方法确定了光敏元件的扩散长度、暗光敏元件和光敏电流与材料的电子性质和信号的不均匀性有关的关系。讨论从平面技术到中子技术的转变以及相关的限制的好处。gt的厚度影响了光电二极管敏感边界的dv值。分析了二极管工作位移的不均匀程度。温度对pcr边界的影响。分析了大规模和格式混合的pca和kss问题。在目前的水平上,基于硅基质的flip-chip混合生产技术可能会产生40 40毫米长、58毫米长的碳酸fpm。这是关于硅汤匙弯曲的问题。已经进行了实验研究,以硅基质为基础来制造fpm引擎。传统技术的可能性和局限性已经被考虑。正在讨论优化水力发电的可能性,以提高D*。在65x温度65x下,用于光谱敏感最大值D*的4个元素,即hpm的4个元素。开发出了基于gt的pm红外波段的建议,基于放大波段的基质。进一步的研究已经确定,以提高fpm的特性,并在其基础上创建fpp。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
Линейчатые фотоприемники формата 288×4 на основе ГЭС КРТ МЛЭ на подложках из кремния для диапазона 8-12.5 мкм
Проведен анализ возможности изготовления линейных фотоприемных модулей (ФПМ) длинноволнового инфракрасного (ДВИК) диапазона 8-12,5 мкм большого формата на основе соединения ГЭС КРТ МЛЭ, выращенного на подложках из кремния. Проведен анализ текущего состояния исследований в части крупноформатных ИК приемников, а также вопросов изготовления ДВИК ФПМ в мире и в России. Обоснована необходимость применения в составе фотоприемных устройств (ФПУ) на основе таких ФПМ микрокриогенных систем высокой производительности для охлаждения ниже температуры кипения азота. Рассмотрены основные физические и технологические ограничения, возникающие при создании ДВИК фоточувствительных модулей большого формата. Показано, что неоднородность состава по площади выпускаемых в ИФП СО РАН ГЭС КРТ МЛЭ позволяет изготавливать ФПМ длиной не менее 32 мм. Обсуждается вопрос современной технологии изготовления кремниевых схем считывания (КСС) и показано, что возможно изготовление чипов размером до 16 см, однако с существенным снижением процента выхода годных. Оптимальный максимальный размер КСС составляет от 22 до 32 мм, в зависимости от технологии. Обсуждаются вопросы влияния узкополосных фильтров на однородность сигнала и связанные с этим требования к материалу. Расчетным методом определена зависимость диффузионной длины, темнового и фототока фоточувствительных элементов (ФЧЭ) от электрофизических свойств материала и связанные с этим неоднородности сигнала. Обсуждается польза перехода от планарной технологии к меза-технологии и связанные с этим ограничения. Рассчитано влияние толщины рабочего слоя ГЭС КРТ на значение ДВ границы чувствительности фотодиодов. Проведен анализ величины неоднородности рабочего смещения на диодах. Рассчитано влияние температуры на ДВ границу ФЧЭ. Проведен анализ вопросов гибридизации ФЧЭ и КСС больших размеров и форматов. Показано, что для текущего уровня технологии изготовления гибридных сборок методом flip-chip для ФЧЭ, на основе КРТ на подложках из кремния, возможно изготовления ФПМ размером до 40×40 мм либо линейчатого ФПМ длиной 58 мм. Обсуждается вопрос кривизны подложек из кремния. Проведены экспериментальные исследования возможности изготовления ДВИК ФПМ на основе КРТ на подложках из кремния. Рассмотрены возможности и ограничения традиционной технологии. Обсуждаются возможности оптимизации конструкции ГЭС КРТ для еще большего повышения D*. Величина обнаружительной способности в максимуме спектральной чувствительности D*, с учетом ВЗН, по 4 элементам для ИК ФПМ на основе ГЭС КРТ на подложке из кремния достигает значения 9.2×1010 Гц1/2×см×Вт-1 для спектрального диапазона от 8 до 12,5 мкм при температуре 65К с использованием отсекающего коротковолнового фильтра. Разработаны предложения по созданию ФПМ ИК диапазона на основе ГЭС КРТ на подложках из кремния увеличенной размерности для ДВИК диапазона. Сформулированы дальнейшие направления исследований для повышения характеристик таких ФПМ, а также создания ФПУ на их основе.
求助全文
通过发布文献求助,成功后即可免费获取论文全文。 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信