动力电子学高分子结构

Nanoindustry Russia Pub Date : 2022-05-27 DOI:10.22184/1993-8578.2022.15.8s.124.129

В.Л. Крюков, А.В. Леви

{"title":"动力电子学高分子结构","authors":"В.Л. Крюков, А.В. Леви","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.124.129","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Рассмотрены особенности конструкции высокоомных p-i-n-структур на основе системы GaAs-AlGaAs и способа их выращивания методом жидкофазной эпитаксии, позволяющие реализовать силовые диоды, существенно превосходящие по совокупности основных параметров лучшие кремниевые аналоги.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"26 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"ВЫСОКООМНЫЕ СТРУКТУРЫ GAAS-ALGAAS ДЛЯ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ\",\"authors\":\"В.Л. Крюков, А.В. Леви\",\"doi\":\"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.124.129\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Рассмотрены особенности конструкции высокоомных p-i-n-структур на основе системы GaAs-AlGaAs и способа их выращивания методом жидкофазной эпитаксии, позволяющие реализовать силовые диоды, существенно превосходящие по совокупности основных параметров лучшие кремниевые аналоги.\",\"PeriodicalId\":223196,\"journal\":{\"name\":\"Nanoindustry Russia\",\"volume\":\"26 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2022-05-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Nanoindustry Russia\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.124.129\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Nanoindustry Russia","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.124.129","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

摘要

研究了高质量p-i-n结构基于GaAs-AlGaAs系统的特性，以及如何在流体冲击中培育它们，使它们能够实现比最佳硅相似的基本参数大得多的力偶极子。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

查看原文本刊更多论文

ВЫСОКООМНЫЕ СТРУКТУРЫ GAAS-ALGAAS ДЛЯ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

Рассмотрены особенности конструкции высокоомных p-i-n-структур на основе системы GaAs-AlGaAs и способа их выращивания методом жидкофазной эпитаксии, позволяющие реализовать силовые диоды, существенно превосходящие по совокупности основных параметров лучшие кремниевые аналоги.

求助全文

通过发布文献求助，成功后即可免费获取论文全文。去求助

来源期刊

Nanoindustry Russia

自引率

0.00%

发文量