“ZnO单片表面吸附密度函数理论”

А. Е. Альжанова, Ю. П. Быкова
{"title":"“ZnO单片表面吸附密度函数理论”","authors":"А. Е. Альжанова, Ю. П. Быкова","doi":"10.48081/auhi1416","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"\"Данная работа позволила провести сравнительный анализ результатов реального эксперимента с вычислительным экспериментом. Вычислительный эксперимент проводился посредством программы Vienna Ab-initio Simulation Package (VASP), которая основана на расчетах из первых принципов. Посчитана энергия адсорбции при осаждении монослоя нанокластеров ZnO на Si (111) терминированную поверхность открытого типа. Вычислительный эксперимент проведенный посредством Vienna Ab-initio Simulation Package (VASP) позволил спрогнозировать жизнеспособность исследуемой системы, а также посчитать параметр недоступный для измерения при проведении реального эксперимента. Процесс адсорбции монослоя оксида цинка был рассмотрен на Si терминированной (111) поверхности открытого типа. Были определены наиболее выгодные положения атомов оксида цинка для последующей асдорбции монослоя нанокластеров ZnO и определена энергия связи с поверхностью. Была посчитана энергия адсорбции. Отрицательное значение энергии адсорбции, полученное в работе, указывает на механическую стабильность и хорошую осаждаемость монослоя нанокластеров ZnO на поверхности Si. Таким образом, вычислительный эксперимент подтвердил, что система ZnO/SiO2/Si является устойчивой и жизнеспособной, что позволяет предположить возможность роста нанопроволок из ZnO на поверхности Si. \"","PeriodicalId":204660,"journal":{"name":"Bulletin of Toraighyrov University. Physics & Mathematics series","volume":"41 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-03-28","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"\\\"ТЕОРИЯ ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ ПО АДСОРБЦИИ МОНОСЛОЯ ZnO НА Si (111) ПОВЕРХНОСТИ \\\"\",\"authors\":\"А. Е. Альжанова, Ю. П. Быкова\",\"doi\":\"10.48081/auhi1416\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"\\\"Данная работа позволила провести сравнительный анализ результатов реального эксперимента с вычислительным экспериментом. Вычислительный эксперимент проводился посредством программы Vienna Ab-initio Simulation Package (VASP), которая основана на расчетах из первых принципов. Посчитана энергия адсорбции при осаждении монослоя нанокластеров ZnO на Si (111) терминированную поверхность открытого типа. Вычислительный эксперимент проведенный посредством Vienna Ab-initio Simulation Package (VASP) позволил спрогнозировать жизнеспособность исследуемой системы, а также посчитать параметр недоступный для измерения при проведении реального эксперимента. Процесс адсорбции монослоя оксида цинка был рассмотрен на Si терминированной (111) поверхности открытого типа. Были определены наиболее выгодные положения атомов оксида цинка для последующей асдорбции монослоя нанокластеров ZnO и определена энергия связи с поверхностью. Была посчитана энергия адсорбции. Отрицательное значение энергии адсорбции, полученное в работе, указывает на механическую стабильность и хорошую осаждаемость монослоя нанокластеров ZnO на поверхности Si. Таким образом, вычислительный эксперимент подтвердил, что система ZnO/SiO2/Si является устойчивой и жизнеспособной, что позволяет предположить возможность роста нанопроволок из ZnO на поверхности Si. \\\"\",\"PeriodicalId\":204660,\"journal\":{\"name\":\"Bulletin of Toraighyrov University. Physics & Mathematics series\",\"volume\":\"41 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2022-03-28\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Bulletin of Toraighyrov University. Physics & Mathematics series\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.48081/auhi1416\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Bulletin of Toraighyrov University. Physics & Mathematics series","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.48081/auhi1416","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

摘要

这项工作允许比较实际实验的结果和计算实验的结果。计算机实验是通过Vienna Ab-initio模拟包(VASP)程序进行的。据估计,当ZnO单层(111)被Si(111)上的热暴露表面包围时,吸收能量。通过Vienna Ab-initio模拟包(VASP)进行的计算实验,预测了测试系统的可行性,并计算了实际实验无法测量的参数。氧化锌单层吸收过程在Si(111)开放型表面被观察到。氧化锌原子的最有利位置被确定,以满足ZnO纳米集群的单层膨胀,并确定了与表面的联系能量。被计算为吸附能量。工作中产生的吸附能量的负值表明ZnO单层在Si表面的机械稳定性和良好的围攻。因此,计算实验证实,ZnO/SiO2/Si系统是可持续和可持续的,这表明了从Si表面的ZnO纳米线圈生长的可能性。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
"ТЕОРИЯ ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ ПО АДСОРБЦИИ МОНОСЛОЯ ZnO НА Si (111) ПОВЕРХНОСТИ "
"Данная работа позволила провести сравнительный анализ результатов реального эксперимента с вычислительным экспериментом. Вычислительный эксперимент проводился посредством программы Vienna Ab-initio Simulation Package (VASP), которая основана на расчетах из первых принципов. Посчитана энергия адсорбции при осаждении монослоя нанокластеров ZnO на Si (111) терминированную поверхность открытого типа. Вычислительный эксперимент проведенный посредством Vienna Ab-initio Simulation Package (VASP) позволил спрогнозировать жизнеспособность исследуемой системы, а также посчитать параметр недоступный для измерения при проведении реального эксперимента. Процесс адсорбции монослоя оксида цинка был рассмотрен на Si терминированной (111) поверхности открытого типа. Были определены наиболее выгодные положения атомов оксида цинка для последующей асдорбции монослоя нанокластеров ZnO и определена энергия связи с поверхностью. Была посчитана энергия адсорбции. Отрицательное значение энергии адсорбции, полученное в работе, указывает на механическую стабильность и хорошую осаждаемость монослоя нанокластеров ZnO на поверхности Si. Таким образом, вычислительный эксперимент подтвердил, что система ZnO/SiO2/Si является устойчивой и жизнеспособной, что позволяет предположить возможность роста нанопроволок из ZnO на поверхности Si. "
求助全文
通过发布文献求助,成功后即可免费获取论文全文。 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信