功率单调集成电路的正常闭合晶体管构造特征

Nanoindustry Russia Pub Date : 2023-02-16 DOI:10.22184/1993-8578.2023.16.1.70.79

К.А. Царик, О.Б. Чуканова, Е.К. Козловская

{"title":"功率单调集成电路的正常闭合晶体管构造特征","authors":"К.А. Царик, О.Б. Чуканова, Е.К. Козловская","doi":"10.22184/1993-8578.2023.16.1.70.79","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В статье рассмотрены ключевые зависимости характеристик нормально-закрытых тран-\nзисторов от параметров GaN гетероструктур. Определены толщины и концентрации легирующих примесей в слоях гетероструктуры. В результате моделирования получены вольтамперные характеристики р-канального полевого транзистора и n-канального транзистора с подзатворным слоем р-типа.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"87 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-02-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР ПРИ ПОСТРОЕНИИ GaN НОРМАЛЬНО ЗАКРЫТЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ СИЛОВЫХ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ\",\"authors\":\"К.А. Царик, О.Б. Чуканова, Е.К. Козловская\",\"doi\":\"10.22184/1993-8578.2023.16.1.70.79\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В статье рассмотрены ключевые зависимости характеристик нормально-закрытых тран-\\nзисторов от параметров GaN гетероструктур. Определены толщины и концентрации легирующих примесей в слоях гетероструктуры. В результате моделирования получены вольтамперные характеристики р-канального полевого транзистора и n-канального транзистора с подзатворным слоем р-типа.\",\"PeriodicalId\":223196,\"journal\":{\"name\":\"Nanoindustry Russia\",\"volume\":\"87 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2023-02-16\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Nanoindustry Russia\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.1.70.79\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Nanoindustry Russia","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.1.70.79","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

摘要

本文讨论了正常封闭的tran - sister特性与根异质结构参数的关键关系。在异质结构层中确定了掺杂物的厚度和浓度。因此，建模产生了p通道场晶体管和n通道晶体管的伏特特性，其中包含了r型。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

查看原文本刊更多论文

ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР ПРИ ПОСТРОЕНИИ GaN НОРМАЛЬНО ЗАКРЫТЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ СИЛОВЫХ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

В статье рассмотрены ключевые зависимости характеристик нормально-закрытых тран- зисторов от параметров GaN гетероструктур. Определены толщины и концентрации легирующих примесей в слоях гетероструктуры. В результате моделирования получены вольтамперные характеристики р-канального полевого транзистора и n-канального транзистора с подзатворным слоем р-типа.

求助全文

通过发布文献求助，成功后即可免费获取论文全文。去求助

来源期刊

Nanoindustry Russia

自引率

0.00%

发文量