Влияние морфологии супраструктуры поликристаллических пленок халькогенидов свинца на спектральную плотность мощности шума

Связь морфологии со спектральной плотностью мощности шума фоторезисторов на основе PbS детально обсуждалась в [1, 2]. Наши исследования в этой области были продолжены на фоторезистивных структурах на основе PbSe и PbCdS. Данные образцы были изготовлены с целью получения фоточувствительных слоев с высокой чувствительностью в диапазоне длин волн 1,5-5 мкм. В докладе приведены результаты измерений как значения шума на частотах 400, 800 и 1200 Гц, так и спектральной плотности мощности шума в диапазоне 1 – 10 000 Гц. Показано, что наличие шума типа 1/F во всем диапазоне частот напрямую связано со степенью упорядочения полупроводникового материала. Так для субструктур, представленных на рисунке 1 (с приведенными для них картинами дифракции электронов) легко видеть различия между «шумящей» структурой (верхний рисунок) и малошумящей (с преобладанием генерационно-рекомбинационного шума).