紧凑的原子传感器半导体垂直发射激光

{"title":"紧凑的原子传感器半导体垂直发射激光","authors":"","doi":"10.34077/rcsp2019-78","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В последние годы компактные атомные сенсоры (компактные атомные часы, гироскопы на\nядерном магнитном резонансе, миниатюрные магнетометры) являются предметом большого\nколичества исследований, в том числе в связи с возможностью из применения в компактных\nсистемах навигации. В данных устройствах используются эффекты взаимодействия оптического\nизлучения с тонкой структурой энергетических уровней в атомах газов щелочных металлов (рубидия\nили цезия) [1]. При этом в качестве источников излучения используются компактные\nполупроводниковые вертикально-излучающие лазеры, к параметрам которых предъявляются жесткие\nтребования. Например, при использовании в компактных атомных часах кроме точного попадания в\nтребуемую спектральную линию (например, D1 133 изотопа цезия (894.3 нм), излучение такого лазера\nдолжно быть одномодовым с коэффициентом подавления боковых мод более 20 дБ, линейно\nполяризованным с коэффициентом подавления ортогональной поляризации более 15 дБ, иметь\nширину линии менее 100 МГц, ширина полосы частот эффективной модуляции лазера должна\nпревышать 5 ГГц, а типичный диапазон рабочих температур составляет 60 – 90 ͦС.\nВ настоящей работе для создания вертикально-излучающих лазеров использовалась структура с\nнелегированными распределенными брэгговскими отражателями, внутрирезонаторными контактами\nи активной областью на основе InGaAs квантовых ям, выращенная методом молекулярно-пучковой\nэпитаксии. Стабилизация направления поляризации излучения, показанная на рис.1, обеспечивалась\nромбовидной формой токовой апертурой, получаемой при селективном окислением в парах воды\nслоя AlGaAs специальной конструкции [2]. \nСозданные лазеры демонстрируют высокую выходную мощность в одномодовом режиме с\nфиксированной поляризацией (более 1 мВт), пороговый ток менее 1 мА, эффективную частоту\nмодуляции более 5 ГГц и ширину линии излучения менее 60 МГц при температурах 65 – 75 ͦС.\nДостигнутые характеристики обеспечивают возможность эффективного применения разработанных\nлазеров в компактных атомных сенсорах.","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"12 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры\\nдля компактных атомных сенсоров\",\"authors\":\"\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2019-78\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В последние годы компактные атомные сенсоры (компактные атомные часы, гироскопы на\\nядерном магнитном резонансе, миниатюрные магнетометры) являются предметом большого\\nколичества исследований, в том числе в связи с возможностью из применения в компактных\\nсистемах навигации. В данных устройствах используются эффекты взаимодействия оптического\\nизлучения с тонкой структурой энергетических уровней в атомах газов щелочных металлов (рубидия\\nили цезия) [1]. При этом в качестве источников излучения используются компактные\\nполупроводниковые вертикально-излучающие лазеры, к параметрам которых предъявляются жесткие\\nтребования. Например, при использовании в компактных атомных часах кроме точного попадания в\\nтребуемую спектральную линию (например, D1 133 изотопа цезия (894.3 нм), излучение такого лазера\\nдолжно быть одномодовым с коэффициентом подавления боковых мод более 20 дБ, линейно\\nполяризованным с коэффициентом подавления ортогональной поляризации более 15 дБ, иметь\\nширину линии менее 100 МГц, ширина полосы частот эффективной модуляции лазера должна\\nпревышать 5 ГГц, а типичный диапазон рабочих температур составляет 60 – 90 ͦС.\\nВ настоящей работе для создания вертикально-излучающих лазеров использовалась структура с\\nнелегированными распределенными брэгговскими отражателями, внутрирезонаторными контактами\\nи активной областью на основе InGaAs квантовых ям, выращенная методом молекулярно-пучковой\\nэпитаксии. Стабилизация направления поляризации излучения, показанная на рис.1, обеспечивалась\\nромбовидной формой токовой апертурой, получаемой при селективном окислением в парах воды\\nслоя AlGaAs специальной конструкции [2]. \\nСозданные лазеры демонстрируют высокую выходную мощность в одномодовом режиме с\\nфиксированной поляризацией (более 1 мВт), пороговый ток менее 1 мА, эффективную частоту\\nмодуляции более 5 ГГц и ширину линии излучения менее 60 МГц при температурах 65 – 75 ͦС.\\nДостигнутые характеристики обеспечивают возможность эффективного применения разработанных\\nлазеров в компактных атомных сенсорах.\",\"PeriodicalId\":118786,\"journal\":{\"name\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"volume\":\"12 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2019-05-24\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-78\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-78","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

摘要

近年来,紧凑的原子传感器(紧凑的原子钟、na核磁共振陀螺仪、微型磁计)是大量研究的主题,包括在紧凑的导航系统中可能使用。在这些设备中,光学辐射的作用与碱性金属气体(如卢比迪亚或铯)中能量水平的微妙结构有关。在这种情况下,使用紧紧的半导体垂直发射激光作为辐射源,其参数是严格要求的。例如使用紧凑除了原子钟精确命中втребуем光谱线(例如D1 133同位素铯(894.3 nm),辐射лазерадолжнодномодов抑时尚系数超过20 dbлинейнополяризова镇压正交极化系数超过15分贝,иметьширин线100 mhz带宽有效调制激光器должнапревыша5 ghz,典型的工作温度范围为60至90ͦ。在本工作中,braggos分布式雪反射器的结构被用来创建垂直发射激光器。稳定显示在水稻上的偏振方向。1 .提供了一种由AlGaAs水蒸气中的选择性氧化产生的电流孔隙(2)。高输出功率激光显示одномодовсфиксирова偏振模式(超过1兆瓦)、阈值电流,5月1日有效частотумодуляц我或多或少5 ghz和辐射线宽度65至75ͦ60 mhz的温度。这些特性为紧凑的原子传感器中开发的衣原体提供了有效的应用。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры для компактных атомных сенсоров
В последние годы компактные атомные сенсоры (компактные атомные часы, гироскопы на ядерном магнитном резонансе, миниатюрные магнетометры) являются предметом большого количества исследований, в том числе в связи с возможностью из применения в компактных системах навигации. В данных устройствах используются эффекты взаимодействия оптического излучения с тонкой структурой энергетических уровней в атомах газов щелочных металлов (рубидия или цезия) [1]. При этом в качестве источников излучения используются компактные полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры, к параметрам которых предъявляются жесткие требования. Например, при использовании в компактных атомных часах кроме точного попадания в требуемую спектральную линию (например, D1 133 изотопа цезия (894.3 нм), излучение такого лазера должно быть одномодовым с коэффициентом подавления боковых мод более 20 дБ, линейно поляризованным с коэффициентом подавления ортогональной поляризации более 15 дБ, иметь ширину линии менее 100 МГц, ширина полосы частот эффективной модуляции лазера должна превышать 5 ГГц, а типичный диапазон рабочих температур составляет 60 – 90 ͦС. В настоящей работе для создания вертикально-излучающих лазеров использовалась структура с нелегированными распределенными брэгговскими отражателями, внутрирезонаторными контактами и активной областью на основе InGaAs квантовых ям, выращенная методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Стабилизация направления поляризации излучения, показанная на рис.1, обеспечивалась ромбовидной формой токовой апертурой, получаемой при селективном окислением в парах воды слоя AlGaAs специальной конструкции [2]. Созданные лазеры демонстрируют высокую выходную мощность в одномодовом режиме с фиксированной поляризацией (более 1 мВт), пороговый ток менее 1 мА, эффективную частоту модуляции более 5 ГГц и ширину линии излучения менее 60 МГц при температурах 65 – 75 ͦС. Достигнутые характеристики обеспечивают возможность эффективного применения разработанных лазеров в компактных атомных сенсорах.
求助全文
通过发布文献求助,成功后即可免费获取论文全文。 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信