{"title":"紧凑的原子传感器半导体垂直发射激光","authors":"","doi":"10.34077/rcsp2019-78","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В последние годы компактные атомные сенсоры (компактные атомные часы, гироскопы на\nядерном магнитном резонансе, миниатюрные магнетометры) являются предметом большого\nколичества исследований, в том числе в связи с возможностью из применения в компактных\nсистемах навигации. В данных устройствах используются эффекты взаимодействия оптического\nизлучения с тонкой структурой энергетических уровней в атомах газов щелочных металлов (рубидия\nили цезия) [1]. При этом в качестве источников излучения используются компактные\nполупроводниковые вертикально-излучающие лазеры, к параметрам которых предъявляются жесткие\nтребования. Например, при использовании в компактных атомных часах кроме точного попадания в\nтребуемую спектральную линию (например, D1 133 изотопа цезия (894.3 нм), излучение такого лазера\nдолжно быть одномодовым с коэффициентом подавления боковых мод более 20 дБ, линейно\nполяризованным с коэффициентом подавления ортогональной поляризации более 15 дБ, иметь\nширину линии менее 100 МГц, ширина полосы частот эффективной модуляции лазера должна\nпревышать 5 ГГц, а типичный диапазон рабочих температур составляет 60 – 90 ͦС.\nВ настоящей работе для создания вертикально-излучающих лазеров использовалась структура с\nнелегированными распределенными брэгговскими отражателями, внутрирезонаторными контактами\nи активной областью на основе InGaAs квантовых ям, выращенная методом молекулярно-пучковой\nэпитаксии. Стабилизация направления поляризации излучения, показанная на рис.1, обеспечивалась\nромбовидной формой токовой апертурой, получаемой при селективном окислением в парах воды\nслоя AlGaAs специальной конструкции [2]. \nСозданные лазеры демонстрируют высокую выходную мощность в одномодовом режиме с\nфиксированной поляризацией (более 1 мВт), пороговый ток менее 1 мА, эффективную частоту\nмодуляции более 5 ГГц и ширину линии излучения менее 60 МГц при температурах 65 – 75 ͦС.\nДостигнутые характеристики обеспечивают возможность эффективного применения разработанных\nлазеров в компактных атомных сенсорах.","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"12 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры\\nдля компактных атомных сенсоров\",\"authors\":\"\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2019-78\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В последние годы компактные атомные сенсоры (компактные атомные часы, гироскопы на\\nядерном магнитном резонансе, миниатюрные магнетометры) являются предметом большого\\nколичества исследований, в том числе в связи с возможностью из применения в компактных\\nсистемах навигации. В данных устройствах используются эффекты взаимодействия оптического\\nизлучения с тонкой структурой энергетических уровней в атомах газов щелочных металлов (рубидия\\nили цезия) [1]. При этом в качестве источников излучения используются компактные\\nполупроводниковые вертикально-излучающие лазеры, к параметрам которых предъявляются жесткие\\nтребования. Например, при использовании в компактных атомных часах кроме точного попадания в\\nтребуемую спектральную линию (например, D1 133 изотопа цезия (894.3 нм), излучение такого лазера\\nдолжно быть одномодовым с коэффициентом подавления боковых мод более 20 дБ, линейно\\nполяризованным с коэффициентом подавления ортогональной поляризации более 15 дБ, иметь\\nширину линии менее 100 МГц, ширина полосы частот эффективной модуляции лазера должна\\nпревышать 5 ГГц, а типичный диапазон рабочих температур составляет 60 – 90 ͦС.\\nВ настоящей работе для создания вертикально-излучающих лазеров использовалась структура с\\nнелегированными распределенными брэгговскими отражателями, внутрирезонаторными контактами\\nи активной областью на основе InGaAs квантовых ям, выращенная методом молекулярно-пучковой\\nэпитаксии. Стабилизация направления поляризации излучения, показанная на рис.1, обеспечивалась\\nромбовидной формой токовой апертурой, получаемой при селективном окислением в парах воды\\nслоя AlGaAs специальной конструкции [2]. \\nСозданные лазеры демонстрируют высокую выходную мощность в одномодовом режиме с\\nфиксированной поляризацией (более 1 мВт), пороговый ток менее 1 мА, эффективную частоту\\nмодуляции более 5 ГГц и ширину линии излучения менее 60 МГц при температурах 65 – 75 ͦС.\\nДостигнутые характеристики обеспечивают возможность эффективного применения разработанных\\nлазеров в компактных атомных сенсорах.\",\"PeriodicalId\":118786,\"journal\":{\"name\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"volume\":\"12 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2019-05-24\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-78\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-78","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры
для компактных атомных сенсоров
В последние годы компактные атомные сенсоры (компактные атомные часы, гироскопы на
ядерном магнитном резонансе, миниатюрные магнетометры) являются предметом большого
количества исследований, в том числе в связи с возможностью из применения в компактных
системах навигации. В данных устройствах используются эффекты взаимодействия оптического
излучения с тонкой структурой энергетических уровней в атомах газов щелочных металлов (рубидия
или цезия) [1]. При этом в качестве источников излучения используются компактные
полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры, к параметрам которых предъявляются жесткие
требования. Например, при использовании в компактных атомных часах кроме точного попадания в
требуемую спектральную линию (например, D1 133 изотопа цезия (894.3 нм), излучение такого лазера
должно быть одномодовым с коэффициентом подавления боковых мод более 20 дБ, линейно
поляризованным с коэффициентом подавления ортогональной поляризации более 15 дБ, иметь
ширину линии менее 100 МГц, ширина полосы частот эффективной модуляции лазера должна
превышать 5 ГГц, а типичный диапазон рабочих температур составляет 60 – 90 ͦС.
В настоящей работе для создания вертикально-излучающих лазеров использовалась структура с
нелегированными распределенными брэгговскими отражателями, внутрирезонаторными контактами
и активной областью на основе InGaAs квантовых ям, выращенная методом молекулярно-пучковой
эпитаксии. Стабилизация направления поляризации излучения, показанная на рис.1, обеспечивалась
ромбовидной формой токовой апертурой, получаемой при селективном окислением в парах воды
слоя AlGaAs специальной конструкции [2].
Созданные лазеры демонстрируют высокую выходную мощность в одномодовом режиме с
фиксированной поляризацией (более 1 мВт), пороговый ток менее 1 мА, эффективную частоту
модуляции более 5 ГГц и ширину линии излучения менее 60 МГц при температурах 65 – 75 ͦС.
Достигнутые характеристики обеспечивают возможность эффективного применения разработанных
лазеров в компактных атомных сенсорах.