Туннельный точечный контакт в терагерцовом поле

Изготовлены квантовые точечные контакты (QPC) в двумерном электронном газе гетероструктур GaAs/AlGaAs и выполнены измерения отклика туннельного кондактанса устройств на терагерцовое облучение [1] (рис.1,2). Поляризационные измерения (рис.2) показывают, что отклик зависит только от компоненты внешнего ВЧ поля E(ω), которая направлена вдоль тока в узком месте. Это позволяет свести объяснение к численному решению одномерной задачи о фотон-ассистированном прохождении через барьер U(x,t)≈ [V+Aсos(ωt)]/ch2 (x/W). Для такого барьера давно предсказаны два эффекта. Первый из них – гигантский рост коэффициента прохождения D частицы с начальной энергией E