Sintering Temperature Dependence on Impurities in SiC Ceramics

Abstract

1. 緒 言 酸化 ベ リ リウム (BeO) を焼結助剤 と したSiC焼 結 体 は, 高 い熱伝導性 と高 い電気絶縁 性 を兼ね備 えている. この特異 な性 質の発 現 は, 高 い ち密性 とSiC粒 内 の電 気 的活性 な不純物量 が極 めて少 ない (〓1017cm-3) こと が主要 因で あることが知 られてい る1)~4). 一方原料 に用 いているSiC粉 には, Ti, Fe, Niな ど金属不純 物が0.1 ~0 .01wt%含 まれて いるが5), 電気 的に は不 活性 で あ る とい うことか ら, その挙動 につ いては無視 されて きた. しか しこれ ら不純物 の量 は電気的 に活性 な不純物量 に比 べ1~2け た も多 く, 焼結体 の特性 をよ り精 密 に制御 す るために は, これ ら不純物 の特性 への影響 を詳細 に調べ て おく必要が ある. 本報告 はその第1段 階と して, 上記 不純 物の焼 結途 中での挙 動 を明 らかにす るこ とを目的 に, 各種の温度で焼結体 を作製 し残存量の焼結 温度依存 性 を調べ るとともに, 分析電子顕微鏡 によりその存在 状 態 を調べ たものである.