{"title":"Стратификация границы раздела Fe/Si(001)2x1 отжигом смачивающего слоя","authors":"Н.И. Плюснин","doi":"10.21883/jtf.2023.01.54076.191-22","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Исследование границы раздела Fe/Si(001)2x1 в процессе ее формирования проводили методами дифракции медленных электронов (LEED), спектроскопии оже-электронов (AES), спектроскопии потерь энергии электронов (EELS) (все in-situ) и после выгрузки из камеры --- методом атомно-силовой микроскопии (AFM). Пленки Fe на Si(001)2x1 получали при температурах подложки и источника 30oС и соответственно 1250oС. Смачивающий слой (WL) Si(001)2x1-Fe формировали отжигом на стадиях роста 1 монослой (ML) и 3 ML при температурах 500oC и соответственно 250oC. Анализ и интерпретация полученных данных с учетом возможных схем поверхностных реакций показал, что после отжига при толщине 1 ML состав слоев (сверху вниз) пленки Fe соответствовал 2 ML Si/Fe. А с увеличением толщины до 2 ML он изменился на Fe/Si/Fe и до 3 ML на Fe-FeSi. Затем после отжига пленки толщиной 3 ML он изменился на FeSi. При 4 ML произошло формирование двухслойной пленки FeSi/FeSi2. И далее при 7 ML и 10 ML состав слоев пленки изменился на Fe3Si/FeSi2 и соответственно Fe/Fe3Si/FeSi2. При этом верхний слой Fe3Si при 7 ML покрылся 0.6 ML сегрегированного Si. А верхний слой Fe при 10 ML после осаждения и отжига при 250oС покрылся 0.3 ML и соответственно 0.6 ML сегрегированного Si. В последней пленке Fe, латеральный размер зерен и средняя высота рельефа пленки составили 10-20 nm и соответственно ~0.4 nm. Ключевые слова: граница раздела, смачивающий слой, многослойная пленка, состав слоев, схемы поверхностных реакций, Fe, Si(001)2x1.","PeriodicalId":24036,"journal":{"name":"Журнал технической физики","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Журнал технической физики","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/jtf.2023.01.54076.191-22","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
Исследование границы раздела Fe/Si(001)2x1 в процессе ее формирования проводили методами дифракции медленных электронов (LEED), спектроскопии оже-электронов (AES), спектроскопии потерь энергии электронов (EELS) (все in-situ) и после выгрузки из камеры --- методом атомно-силовой микроскопии (AFM). Пленки Fe на Si(001)2x1 получали при температурах подложки и источника 30oС и соответственно 1250oС. Смачивающий слой (WL) Si(001)2x1-Fe формировали отжигом на стадиях роста 1 монослой (ML) и 3 ML при температурах 500oC и соответственно 250oC. Анализ и интерпретация полученных данных с учетом возможных схем поверхностных реакций показал, что после отжига при толщине 1 ML состав слоев (сверху вниз) пленки Fe соответствовал 2 ML Si/Fe. А с увеличением толщины до 2 ML он изменился на Fe/Si/Fe и до 3 ML на Fe-FeSi. Затем после отжига пленки толщиной 3 ML он изменился на FeSi. При 4 ML произошло формирование двухслойной пленки FeSi/FeSi2. И далее при 7 ML и 10 ML состав слоев пленки изменился на Fe3Si/FeSi2 и соответственно Fe/Fe3Si/FeSi2. При этом верхний слой Fe3Si при 7 ML покрылся 0.6 ML сегрегированного Si. А верхний слой Fe при 10 ML после осаждения и отжига при 250oС покрылся 0.3 ML и соответственно 0.6 ML сегрегированного Si. В последней пленке Fe, латеральный размер зерен и средняя высота рельефа пленки составили 10-20 nm и соответственно ~0.4 nm. Ключевые слова: граница раздела, смачивающий слой, многослойная пленка, состав слоев, схемы поверхностных реакций, Fe, Si(001)2x1.